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大尺寸高性能中紅外晶體研制
日期:2015-08-20 09:44
狀態(tài):待解決
提問:kjcxac
展提供關(guān)鍵材料支撐。
1.核心設(shè)備的突破
中紅外晶體合成與生長氣壓高、組分偏析嚴(yán)重、各向異性大、極易開裂與產(chǎn)生孿晶,對(duì)制備設(shè)備要求很高,目前國內(nèi)外無商用的紅外晶體制備專用設(shè)備。
根據(jù)中紅外晶體合成與生長特性,自行設(shè)計(jì)熱場,研制出具有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的多段高精密控制中紅外晶體合成爐(圖1)、垂直和水平兩類單晶生長爐(圖2)以及器件退火爐等系列關(guān)鍵設(shè)備,成功實(shí)現(xiàn)中紅外晶體核心制備設(shè)備的國產(chǎn)化,該系列設(shè)備具有控溫精度高、溫場調(diào)節(jié)方便、熱場穩(wěn)定性好、自動(dòng)化程度高等特點(diǎn),適合用于工程化推廣。
2.關(guān)鍵工藝的突破


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