日期:2015-06-05 20:05
狀態(tài):待解決
提問:kjcxac
3）國內(nèi)首次成功研制中子散射專用高溫樣品環(huán)境裝置，經(jīng)測試其最高溫度可達(dá)1600℃，達(dá)到國際同類設(shè)備的性能水平。國內(nèi)首次自主研發(fā)了專用于工業(yè)部件殘余應(yīng)力測試的原位高溫以及放射性樣品加載技術(shù)方法。
4）國際首次使用納米氮化硼成功制備熱中子閃爍體轉(zhuǎn)換屏，研究了納米級中子吸收材料的顆粒度對發(fā)光強(qiáng)度的影響，研制的新型B基熱中子屏的性能已接近商業(yè)化6LiF屏的性能。
5)中子成像方法方面，在國際上首次系統(tǒng)地進(jìn)行了編碼源中子成像研究，并在國際上首先實(shí)現(xiàn)了小型加速器上的編碼源中子成像。非平行束中子CT在算法中直接考慮了中子束
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