趙有文，男，博士，現(xiàn)任中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員，博士生導(dǎo)師。

主要從事磷化銦、銻化鎵等化合物單晶材料生長技術(shù)、材料缺陷和材料在光電子和微電子器件上應(yīng)用的研究。

教育經(jīng)歷： 

1996-08--1999-08   香港大學(xué)   理學(xué)博士

1986-09--1989-03   河北半導(dǎo)體研究所   工學(xué)碩士學(xué)位

1982-09--1986-07   蘭州大學(xué)   理學(xué)學(xué)士學(xué)位

工作經(jīng)歷：

2000-03~2011-08,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所, 研究員

1996-08~1999-08,香港大學(xué), 理學(xué)博士

1989-03~1996-07,河北半導(dǎo)體研究所, 工程師

1986-09~1989-03,河北半導(dǎo)體研究所, 工學(xué)碩士學(xué)位

1982-09~1986-07,蘭州大學(xué), 理學(xué)學(xué)士學(xué)位

參與會議：

（1）C-H complex defects and their influnce in InAs single crystal   2017-10-08 

講授課程：

半導(dǎo)體材料

招生專業(yè)：

080501-材料物理與化學(xué)

招生方向：

化合物半導(dǎo)體單晶材料生長

缺陷與雜質(zhì)

材料物理

研究生培養(yǎng)：

培養(yǎng)研究生數(shù)十名。

主要研究領(lǐng)域：

寬禁帶半導(dǎo)體ZnO和AlN單晶材料生長、缺陷和物性研究；冶金法提純多晶硅技術(shù)及應(yīng)用開發(fā)；高效太陽電池用低位錯Ge單晶生長與缺陷控制；大直徑InAs單晶生長及材料性質(zhì)。

承擔(dān)科研項目情況：

（ 1 ） 新型中長波紅外探測器襯底GaSb和InAs單晶材料制備及應(yīng)用, 主持, 市地級, 2018-03--2020-12

（ 2 ） 面向紅外探測應(yīng)用的GaSb單晶雜質(zhì)、缺陷及物性研究, 主持, 國家級, 2015-01--2018-12

（ 3 ） 4-6英寸InP單晶VGF生長技術(shù), 主持, 院級, 2017-03--2019-12

（ 4 ） 高質(zhì)量GaSb單晶襯底加工技術(shù)及紅外探測應(yīng)用, 主持, 市地級, 2017-08--2018-12

（ 5 ） 磷化銦材料, 主持, 國家級, 2019-10--2022-09

（ 6 ） 高純磷化銦多晶制備技術(shù)及晶園襯底制備, 主持, 院級, 2020-01--2020-12

主要學(xué)術(shù)成績：

通過實驗研究揭示了原生磷化銦材料中氫-銦空位復(fù)合體缺陷的形成規(guī)律以及與材料電學(xué)補償和熱生缺陷的關(guān)系。通過研究和比較純磷和磷化鐵氣氛下高溫退火處理磷化銦材料后產(chǎn)生的深能級缺陷，發(fā)現(xiàn)了與退火過程中原子擴(kuò)散有關(guān)的缺陷產(chǎn)生與抑制現(xiàn)象并給出了物理解釋。在此基礎(chǔ)上證明這些深能級缺陷大部分與銦空位有關(guān)。同時掌握了抑制深能級缺陷產(chǎn)生、制備高質(zhì)量半絕緣磷化銦材料的物理機理和技術(shù)途徑。對影響晶體完整性的因素進(jìn)行了全面的分析研究，包括微缺陷的成因、結(jié)構(gòu)位錯的形成原因以及所產(chǎn)生的晶格畸變、點缺陷對晶格完整性的影響等。這些研究成果有效促地進(jìn)了高質(zhì)量磷化銦等材料單晶生長技術(shù)和單晶襯底制備技術(shù)的提高。

1 化合物半導(dǎo)體晶體生長用高純石英器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化 濮陽坤;趙有文;張堯;陶明頓;龐海濤;李愛霞 連云港福東正佑照明電器有限公司 2017 

2 6英寸VGF法鍺單晶片生產(chǎn)關(guān)鍵工藝技術(shù)研究 惠峰;李蘇濱;柳廷龍;鐘文;李雪峰;呂春富;董汝昆;肖祥江;趙有文;高永亮;董志遠(yuǎn);趙燕;張丹;段鑫敏;李明宣 云南中科鑫圓晶體材料有限公司 2016  

3 以冷坩堝技術(shù)為寄出的光伏級多晶硅工業(yè)試驗 董志遠(yuǎn);趙有文;楊俊;王俊;段滿龍;楊鳳云;霍佃鑫;胡雪松;劉彤;羅龍 包頭市山晟新能源有限責(zé)任公司 2012  

4 深紫外LED用AlGaN材料生長研究 王軍喜;趙有文;劉喆;閆建昌;馬平 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2008  

5 半導(dǎo)體光電功能材料磷化銦、氮化鎵和氧化鋅的特性研究 許小亮;趙有文;施朝淑 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2003  

6 Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體電學(xué)輸運和發(fā)光特性的研究 許小亮;趙有文;施朝淑;劉洪圖 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2003

制定標(biāo)準(zhǔn)：

1 磷化銦多晶 GB/T 36706-2018 2019-07-17 國家標(biāo)準(zhǔn) 

2 LED外延芯片用磷化鎵襯底 GB/T 30855-2014 2015-04-30 國家標(biāo)準(zhǔn) 

3 LED外延芯片用砷化鎵襯底 GB/T 30856-2014 2015-04-30 國家標(biāo)準(zhǔn) 

4 太陽能電池用砷化鎵單晶 GB/T 25075-2010 2012-03-13 國家標(biāo)準(zhǔn) 

5 化合物半導(dǎo)體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法 GB/T 26070-2010 2012-03-13 國家標(biāo)準(zhǔn) 

發(fā)明專利：  

[1]劉麗杰,趙有文,段滿龍,劉鵬,王書怡. 一種磷化銦晶片的清洗方法[P]. CN113690128A,2021-11-23.

[2]趙有文,段滿龍,劉鵬,盧偉,楊俊,劉京明,謝輝. 一種基于VGF法的氣相摻雜的晶體生長方法[P]. CN111041550B,2021-10-12.

[3]何建軍,趙有文,沈桂英,劉京明. 一種硅磷合金的制備方法[P]. CN113371714A,2021-09-10.

[4]牛智川,李農(nóng),劉冰,徐應(yīng)強,王國偉,蔣洞微,吳東海,郝宏玥,趙有文,朱小貴,何勝. 在GaSb襯底上生長InAs層的生長速度測定方法[P]. CN113358677A,2021-09-07.

[5]周媛,趙有文,謝輝,楊俊,沈桂英,劉京明. 一種去除銻化鎵單晶片殘余應(yīng)力的退火方法[P]. CN112899790A,2021-06-04.

[6]劉京明,趙有文. 一種低濃度P型磷化銦單晶的制備方法[P]. CN109629003B,2021-05-28.

[7]趙有文,段滿龍. 對VGF法生產(chǎn)的InP晶錠進(jìn)行籽晶、引晶及結(jié)晶情況判定的方法[P]. CN109629002B,2021-03-16.

[8]沈桂英,趙有文,孫靜,劉京明,余丁,謝輝. 砷化銦單晶片位錯腐蝕液及位錯腐蝕檢測方法[P]. CN110205681B,2020-12-15.

[9]趙有文,沈桂英,段滿龍,楊俊,盧偉,劉鵬. 基于VGF法晶體生長用石英封帽以及晶體生長裝置[P]. CN211620660U,2020-10-02.

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[11]白永彪,趙有文,沈桂英,董志遠(yuǎn),劉京明,謝暉,余丁. 籽晶保護(hù)裝置及單晶生長方法[P]. CN108546986B,2020-09-15.

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[13]趙有文,盧偉,段滿龍,楊俊,劉京明. 一種基于VGF法的晶體生長用雙層壁坩堝[P]. CN211005709U,2020-07-14.

[14]趙有文,段滿龍,盧偉,楊俊,劉京明. 一種晶體生長裝置[P]. CN211005717U,2020-07-14.

[15]余丁,趙有文,白永彪,沈桂英,董志遠(yuǎn),劉京明,謝輝. 背表面場GaSb熱光伏電池及其制備方法[P]. CN108831933B,2020-05-12.

[16]趙有文,段滿龍,劉鵬,盧偉,楊俊,劉京明,謝輝. 一種基于VGF法的氣相摻雜的晶體生長方法[P]. CN111041550A,2020-04-21.

[17]孫靜,趙有文,謝輝,沈桂英,董志遠(yuǎn),劉京明,周媛. 摻硫砷化銦體單晶片、其腐蝕方法及腐蝕劑[P]. CN110965129A,2020-04-07.

[18]趙有文,沈桂英,段滿龍,楊俊,盧偉,劉鵬. 基于VGF法晶體生長用石英封帽、晶體生長裝置及晶體生長工藝[P]. CN110952133A,2020-04-03.

[19]段滿龍,趙有文,楊俊,劉京明,盧偉. 一種晶體生長后的退火及脫鍋方法以及晶體制備方法[P]. CN110725008A,2020-01-24.

[20]段滿龍,趙有文. 晶體生長的加熱裝置及生長裝置[P]. CN209584423U,2019-11-05.

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[22]沈桂英,趙有文,孫靜,劉京明,余丁,謝輝. 砷化銦單晶片位錯腐蝕液及位錯腐蝕檢測方法[P]. CN110205681A,2019-09-06.

[23]陶明頓,濮陽坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種紫色石英管及其制備方法[P]. CN106186685B,2019-06-28.

[24]李雪峰,趙有文. 改善晶片主定位邊立面加工中出現(xiàn)缺陷的方法[P]. CN109808085A,2019-05-28.

[25]陶明頓,濮陽坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種黃色石英管及其制備方法[P]. CN106219970B,2019-05-21.

[26]陶明頓,濮陽坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種灰色石英管及其制備方法[P]. CN106219971B,2019-05-21.

[27]陶明頓,濮陽坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種紅色石英管及其制備方法[P]. CN106219972B,2019-05-21.

[28]趙有文,段滿龍. 對VGF法生產(chǎn)的InP晶錠進(jìn)行籽晶、引晶及結(jié)晶情況判定的方法[P]. CN109629002A,2019-04-16.

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[30]段滿龍,趙有文. 晶體生長的加熱裝置及生長裝置[P]. CN109594124A,2019-04-09.

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[33]余丁,趙有文,白永彪,沈桂英,董志遠(yuǎn),劉京明,謝輝. 背表面場GaSb熱光伏電池及其制備方法[P]. CN108831933A,2018-11-16.

[34]白永彪,趙有文,沈桂英,董志遠(yuǎn),劉京明,謝暉,余丁. 籽晶保護(hù)裝置及單晶生長方法[P]. CN108546986A,2018-09-18.

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[48]楊翠柏,趙有文,段滿龍,楊光輝,劉剛,劉京明,楊風(fēng)云. 磷化銦晶錠切割(100)晶片的方法[P]. CN106863628A,2017-06-20.

[49]楊翠柏,趙有文,方聰,王鳳華,董志遠(yuǎn),高永亮,王俊. 熔區(qū)附加磁場裝置及具有其的VGF單晶生長爐[P]. CN206204471U,2017-05-31.

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[51]楊翠柏,趙有文,方聰,王鳳華,董志遠(yuǎn),高永亮,王俊. 熔區(qū)附加磁場裝置及具有其的VGF單晶生長爐[P]. CN106498487A,2017-03-15.

[52]陶明頓,濮陽坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種黃色石英管及其制備方法[P]. CN106219970A,2016-12-14.

[53]陶明頓,濮陽坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種灰色石英管及其制備方法[P]. CN106219971A,2016-12-14.

[54]陶明頓,濮陽坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種紅色石英管及其制備方法[P]. CN106219972A,2016-12-14.

[55]趙有文,段滿龍,尹朝蓉,尹文斌,孫勇. 一種棒狀砷的制備方法[P]. CN106222452A,2016-12-14.

[56]陶明頓,濮陽坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種紫色石英管及其制備方法[P]. CN106186685A,2016-12-07.

[57]龐海濤,趙有文,濮陽坤,莊子柱,王婧姝,李駿. 石英連熔爐芯桿氣壓穩(wěn)定裝置[P]. CN205710395U,2016-11-23.

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[60]龐海濤,趙有文,濮陽坤,莊子柱,王婧姝,李駿. 石英連熔爐芯桿氣壓穩(wěn)定裝置[P]. CN105923980A,2016-09-07.

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發(fā)表期刊論文：

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[2]劉麗杰,趙有文,黃勇,趙宇,王俊,王應(yīng)利,沈桂英,謝輝.面向MOCVD生長InAs/GaSb超晶格紅外探測的InAs襯底表面制備（英文）[J].紅外與毫米波學(xué)報,2022,41(02):420-424.

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榮譽獎勵：

（1） 磷化銦單晶缺陷, 二等獎, 省級, 2010

（2） InP和ZnO材料缺陷研究, 一等獎, 部委級, 2003

（3） 化合物半導(dǎo)體InP, 二等獎, 國家級, 2002