牛智川 男 博導(dǎo) 半導(dǎo)體研究所，牛智川，男，1963年4月生。1996年獲得中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所理學(xué)博士學(xué)位。曾留學(xué)德國、美國。現(xiàn)任中科院半導(dǎo)體所研究員，博士生導(dǎo)師，半導(dǎo)體超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室—新型光電材料分子束外延課題組長(zhǎng)。基金委“國家杰出青年科學(xué)基金”、人事部“新世紀(jì)百千萬人才工程國家級(jí)人選（首批）”、“國務(wù)院政府特殊津貼”獲得者。中國真空學(xué)會(huì)納米與表面第五屆學(xué)術(shù)委員會(huì)委員，中國真空學(xué)會(huì)第六屆理事會(huì)理事，中國電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)第七屆委員會(huì)委員。 

研究領(lǐng)域?yàn)榘雽?dǎo)體低維材料外延生長(zhǎng)、受限光電子體系量子效應(yīng)、高性能光電器件及新型量子器件制備。目前研究方向有：InAs量子點(diǎn)非經(jīng)典光電效應(yīng)及單光子量子器件；GaAs基InGaAsNSb材料與光電器件；異變納米結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體多結(jié)高效太陽能電池、InAs/GaSb超晶格光電探測(cè)器件等。利用高指數(shù)面圖形襯底各向異性，用原子氫輔助分子束外延生長(zhǎng)出AlGaAs/GaAs量子點(diǎn)列陣；發(fā)現(xiàn)液滴分子束外延GaAs/AlGaAs非應(yīng)變和InGaAs/GaAs應(yīng)變量子環(huán)形成現(xiàn)象；提出InAs量子點(diǎn)的亞單原子層循環(huán)變溫外延技術(shù)，大幅度提高均勻性，實(shí)現(xiàn)低、高密度量子點(diǎn)可控生長(zhǎng)；研制成功1.31微米InAs量子點(diǎn)室溫連續(xù)激光器，液氮溫度電驅(qū)動(dòng)InAs量子點(diǎn)單光子發(fā)射器件；研究GaInAs(N,Sb)/GaAs長(zhǎng)波長(zhǎng)材料，提出電子結(jié)構(gòu)模型闡明含Sb元素稀N材料發(fā)光機(jī)制，發(fā)明真空氣源瞬態(tài)開關(guān)控制技術(shù)突破外延生長(zhǎng)難題；研制成功1.31微米垂直腔面發(fā)射激光器、1.55微米諧振腔增強(qiáng)探測(cè)器、國際上首次報(bào)道1.59微米室溫連續(xù)激射激光器；研究了InGaAs/GaAs大In組分異變量子阱材料，提出In組分線性變化生長(zhǎng)技術(shù)，首次實(shí)現(xiàn)低閾值1.33微米異變量子阱激光器，采用Sb誘導(dǎo)生長(zhǎng)1.58 微米InGaAs/GaAs量子阱激光器實(shí)現(xiàn)室溫激射。提出GaAs基AlSb成核和GaSb厚膜兩步外延法，生長(zhǎng)出了高質(zhì)量GaSb/GaAs異變材料，國內(nèi)首次報(bào)道2-5微米InAs/GaSb超晶格光導(dǎo)紅外探測(cè)器。在Nature，Applied Physics Letter, Physics Review B.等發(fā)表論文80多篇。研究成果受到英國III-Vs Review，Compound Semiconductor, 美國Technique Insights, Laser Focus World等權(quán)威評(píng)價(jià)。獲2006年度北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)基礎(chǔ)類二等獎(jiǎng)1項(xiàng)（排名第1）。有多名研究生獲得中科院優(yōu)秀獎(jiǎng)和冠名獎(jiǎng)。與瑞典、英國、俄羅斯等多個(gè)著名課題組開展了廣泛國際合作，聯(lián)合培養(yǎng)的博士生曾獲得國家優(yōu)秀留學(xué)生獎(jiǎng)。 

教育背景

1996-10--1998-10 德國PDI固體電子學(xué)研究所 博士后

學(xué)位

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所理學(xué)博士學(xué)位。

出國學(xué)習(xí)工作

1996-1998：德國，PDI研究所博士后

1998-1999，美國，南加州大學(xué)研究助理

清華大學(xué)物理學(xué)碩士、中科院半導(dǎo)體物理學(xué)博士 

學(xué)術(shù)兼職：

 

招生專業(yè)：

1、微電子學(xué)與固體電子學(xué)

2、半導(dǎo)體材料與器件 

3、物理電子學(xué) 

招生方向

新型半導(dǎo)體紅外光電材料與器件

半導(dǎo)體納米材料與光電器件

半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與器件制備 

指導(dǎo)學(xué)生

已指導(dǎo)學(xué)生 

張石勇 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

董慶瑞 博士研究生 070205-凝聚態(tài)物理 

黃社松 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

方志丹 博士研究生 070205-凝聚態(tài)物理 

佟存柱 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

郝瑞亭 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

趙歡 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

吳東海 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

吳兵朋 碩士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

熊永華 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

周志強(qiáng) 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

王海莉 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

王鵬飛 碩士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

湯寶 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

朱巖 碩士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

賀繼方 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

尚向軍 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

王國偉 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

李密鋒 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

王莉娟 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

邢軍亮 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

查國偉 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

郝宏玥 博士研究生 080901-物理電子學(xué) 

徐建星 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

廖永平 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

黃書山 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

呂粵希 碩士研究生 085208-電子與通信工程 

韓璽 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

向偉 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

蔣志 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

孫姚耀 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

現(xiàn)指導(dǎo)學(xué)生 

鄭大農(nóng) 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

張一 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

孫矩 碩士研究生 085208-電子與通信工程 

袁野 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

楊成奧 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

謝圣文 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

李叔倫 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

陳益航 碩士研究生 085208-電子與通信工程 

賈慶軒 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

王天放 碩士研究生 0805Z2-半導(dǎo)體材料與器件 

周文廣 碩士研究生 0805Z2-半導(dǎo)體材料與器件 

劉汗青 博士研究生 0805Z2-半導(dǎo)體材料與器件 

許雪月 碩士研究生 085204-材料工程 

崔素寧 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué) 

郝慧明 博士研究生 080903-微電子學(xué)與固體電子學(xué)

研究方向：

1（光電子方向）：半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)材料與量子信息器件

2（光電子方向）：半導(dǎo)體低維材料與紅外光電器件

3（光電子方向）：半導(dǎo)體外延材料生長(zhǎng)技術(shù) 

研究領(lǐng)域

砷銻化合物半導(dǎo)體低維（量子阱、量子線。量子點(diǎn)、超晶格等）異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延生長(zhǎng)、受限光電子體系量子物理效應(yīng)、高性能光電器件和量子信息器件制備。 

目前研究方向主要包括：

1.In(Ga)As/GaAs量子結(jié)構(gòu)材料與量子信息器件

2.In(Ga)AlAs(Sb)/GaSb低維材料與紅外光電子器件 

 在研/完成項(xiàng)目： 

1、國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目：微腔與單量子點(diǎn)耦合單光子發(fā)射與檢測(cè) 

2、國家重大科學(xué)研究計(jì)劃項(xiàng)目：分立量子點(diǎn)可控高效納米發(fā)光器件 

3、國家重大科學(xué)研究計(jì)劃課題：銻化物納米結(jié)構(gòu)激光與探測(cè)器件 

4、國家重大科學(xué)儀器項(xiàng)目課題：基于銻化物納米結(jié)構(gòu)的太赫茲器件 

5、中科院先導(dǎo)B項(xiàng)目課題：核心量子通信器件 

6、 國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃量子調(diào)控項(xiàng)目首席：半導(dǎo)體復(fù)合量子結(jié)構(gòu)的量子輸運(yùn)機(jī)理及量子器件制備 

7、國家自然科學(xué)基金委重大項(xiàng)目主持：銻化物低維結(jié)構(gòu)中紅外激光器基礎(chǔ)理論與關(guān)鍵技術(shù) 

8、國家基礎(chǔ)加強(qiáng)計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目首席：低噪聲超晶格探測(cè)器

9、中科院創(chuàng)新部署重點(diǎn)項(xiàng)目主持：銻化物超晶格寬譜探測(cè)器 

科研活動(dòng)：

1、InAs/GaAs自組織量子點(diǎn)長(zhǎng)波長(zhǎng)激光器：創(chuàng)新發(fā)展單原子層循環(huán)調(diào)制技術(shù)生長(zhǎng)的1.3微米自組織量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)室溫連續(xù)激射極低閾值激光器。發(fā)明液滴法分子束外延技術(shù)，實(shí)現(xiàn)GaAs/AlGaAs、InGaAs/GaAs量子環(huán)生長(zhǎng)。 

2、InAs單量子點(diǎn)單光子/糾纏光子源：稀疏密度量子點(diǎn)外延技術(shù)，電驅(qū)動(dòng)單量子點(diǎn)單光子發(fā)射器件，微腔/納米線耦合量子點(diǎn)量子光源。

3、GaAs基近紅外光電器件：發(fā)明N等離子源原位束流控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)GaInAsN量子阱生長(zhǎng)，研制1.3-1.5微米GaInAsN/GaAs量子阱激光器。提出In組分線性控制InGaAs/GaAs異變結(jié)生長(zhǎng)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低閾值1.33微米InGaAs/GaAs異變量子阱激光器，1.55 微米InGaAsSb/GaAs異變量子阱激光器。

5：GaSb基銻化物窄帶隙低維材料與紅外光電器件：II類超晶格2-20微米光電探測(cè)響應(yīng)波段覆蓋，中長(zhǎng)雙色焦平面芯片，短波紅外大功率和單模銻化物量子阱激光器。

合作情況：

國際：瑞典查爾姆斯理工大學(xué)、瑞典皇家理工學(xué)院；俄羅斯約飛技物所；

國內(nèi)：中國科技大學(xué)；南京大學(xué)；中山大學(xué)； 

 認(rèn)定成果：

1 銻化物量子阱紅外激光器 牛智川;張宇;徐應(yīng)強(qiáng);楊成奧;倪海橋 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2020 

2 新型GaAs基近紅外低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體光電材料與器件 鄭厚植;牛智川;韓勤;潘鐘;孫寶權(quán) 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2005

發(fā)明公開： 

[1]董巍, 任書超, 劉云, 王凡, 黃社松, 牛智川. 一體式單發(fā)型He-3制冷機(jī)恒溫器及其工作方法[P]. 北京市: CN118258146A, 2024-06-28.

[2]尚向軍, 牛智川, 倪海橋, 劉汗青, 李叔倫, 蘇向斌, 戴德琰, 馬奔, 陳澤升. 基于量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)光子對(duì)發(fā)射及光纖輸出的裝置及方法[P]. 北京市: CN118244553A, 2024-06-25.

[3]尚向軍, 牛智川, 倪海橋, 蘇向斌, 劉汗青, 王國偉, 李叔倫, 戴德琰, 張宇. 基于半導(dǎo)體激光器的全息光刻裝置及全息光刻方法[P]. 北京市: CN117970753A, 2024-05-03.

[4]單一凡, 牛智川, 吳東海, 徐應(yīng)強(qiáng), 王國偉, 蔣洞微, 郝宏玥, 周文廣, 謝若愚, 常發(fā)冉, 李農(nóng). 一種紅外探測(cè)器的制備方法、紅外探測(cè)器[P]. 北京市: CN117637908A, 2024-03-01.

[5]石建美, 牛智川, 楊成奧, 徐應(yīng)強(qiáng), 張宇, 倪海橋, 陳益航, 王天放, 余紅光. 具有片上濾波結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器及其制備方法[P]. 北京市: CN117424072A, 2024-01-19.

[6]李晶, 任書超, 董巍, 馮長(zhǎng)沙, 王凡, 劉云, 楊威, 黃社松, 牛智川. 一種亞K超低震動(dòng)超低溫系統(tǒng)[P]. 北京市: CN117299242A, 2023-12-29.

[7]李農(nóng), 牛智川, 王國偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 蔣洞微, 吳東海, 郝宏玥, 倪海橋, 蘇向斌. 雙極勢(shì)壘短波紅外探測(cè)器及制備方法[P]. 北京市: CN116936659A, 2023-10-24.

[8]牛智川, 倪海橋, 胡承勇, 黃社松, 張俊, 尚向軍, 劉汗青, 李叔倫, 戴德琰, 蘇向斌. 光量子受控非門及其實(shí)現(xiàn)方法[P]. 北京市: CN116151382A, 2023-05-23.

[9]石建美, 牛智川, 楊成奧, 張宇, 徐應(yīng)強(qiáng), 倪海橋, 王天放, 陳益航, 余紅光. 半導(dǎo)體激光器[P]. 北京市: CN115832870A, 2023-03-21.

[10]倪海橋, 牛智川, 丁穎. 一種束流機(jī)械可控帶閥門塊分子束外延金屬元素源爐[P]. 江蘇省: CN115726029A, 2023-03-03.

[11]尚向軍, 牛智川, 倪海橋, 蘇向斌, 王國偉, 劉汗青, 李叔倫, 戴德琰. 利用半導(dǎo)體激光器實(shí)現(xiàn)全息光刻的裝置[P]. 北京市: CN115373229A, 2022-11-22.

[12]蔣俊鍇, 牛智川, 徐應(yīng)強(qiáng), 王國偉, 蔣洞微, 常發(fā)冉, 李勇, 崔素寧, 陳偉強(qiáng). 周期漸變超晶格寬光譜紅外探測(cè)器及其制備方法[P]. 北京市: CN114582996A, 2022-06-03.

[13]崔素寧, 牛智川, 蔣洞微, 王國偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 吳東海, 郝宏玥, 陳偉強(qiáng), 蔣俊鍇. 近-遠(yuǎn)紅外寬光譜超晶格探測(cè)器[P]. 北京市: CN114464632A, 2022-05-10.

[14]林芳祁, 牛智川, 徐應(yīng)強(qiáng), 王國偉, 李農(nóng), 周文廣, 蔣洞微, 蔣俊鍇, 常發(fā)冉, 陳偉強(qiáng), 李勇. 雙色異質(zhì)結(jié)光電晶體管及其制備方法[P]. 北京市: CN114335232A, 2022-04-12.

[15]周文廣, 牛智川, 徐應(yīng)強(qiáng), 王國偉, 蔣洞微, 吳東海, 蔣俊鍇, 常發(fā)冉, 李農(nóng), 林芳祁, 崔素寧, 陳偉強(qiáng). 一種短波雙色紅外探測(cè)器及其制備方法[P]. 北京市: CN114122185A, 2022-03-01.

[16]周文廣, 牛智川, 徐應(yīng)強(qiáng), 王國偉, 蔣洞微, 蔣俊鍇, 常發(fā)冉, 李農(nóng), 林芳祁, 崔素寧, 陳偉強(qiáng). 紅外探測(cè)器及其制備方法[P]. 北京市: CN113972296A, 2022-01-25.

[17]王天放, 牛智川, 楊成奧, 張宇, 徐應(yīng)強(qiáng), 陳益航, 張一, 尚金銘, 劉冰. 多波長(zhǎng)集成單模激光種子源[P]. 北京市: CN113540973A, 2021-10-22.

[18]李叔倫, 牛智川, 倪海橋, 尚向軍, 劉冰, 朱小貴, 何勝. 微透鏡陣列耦合反射層結(jié)構(gòu)制備方法[P]. 北京市: CN113484941A, 2021-10-08.

[19]郝宏玥, 牛智川, 徐應(yīng)強(qiáng), 王國偉, 蔣洞微, 吳東海. 一種紅外探測(cè)器及其制備方法[P]. 北京市: CN113488558A, 2021-10-08.

[20]牛智川, 李農(nóng), 劉冰, 徐應(yīng)強(qiáng), 王國偉, 蔣洞微, 吳東海, 郝宏玥, 趙有文, 朱小貴, 何勝. 在GaSb襯底上生長(zhǎng)InAs層的生長(zhǎng)速度測(cè)定方法[P]. 江蘇省: CN113358677A, 2021-09-07.

[21]王國偉, 李農(nóng), 劉冰, 朱小貴, 李寧, 牛智川. 雙色探測(cè)器及其制備方法[P]. 江蘇省: CN113327991A, 2021-08-31.

[22]王國偉, 李農(nóng), 劉冰, 朱小貴, 李寧, 牛智川. 中波超晶格紅外探測(cè)器[P]. 江蘇省: CN113327992A, 2021-08-31.

[23]郝宏玥, 徐應(yīng)強(qiáng), 牛智川, 王國偉, 蔣洞微. 焦平面紅外探測(cè)器芯片、探測(cè)器和制備方法[P]. 北京市: CN113130676A, 2021-07-16.

[24]陳偉強(qiáng), 牛智川, 蔣洞微, 崔素寧, 李勇, 蔣俊鍇, 王國偉, 徐應(yīng)強(qiáng). 利用鈍化層負(fù)電化抑制側(cè)壁漏電流的探測(cè)器的制備方法[P]. 北京市: CN113113511A, 2021-07-13.

[25]崔素寧, 蔣洞微, 李勇, 陳偉強(qiáng), 蔣俊鍇, 王國偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 牛智川. 互補(bǔ)勢(shì)壘超晶格長(zhǎng)波紅外探測(cè)器[P]. 北京市: CN113035992A, 2021-06-25.

[26]郝宏玥, 徐應(yīng)強(qiáng), 牛智川, 王國偉, 蔣洞微. GaSb焦平面紅外探測(cè)器的制備方法及GaSb焦平面紅外探測(cè)器[P]. 北京市: CN113013289A, 2021-06-22.

[27]張一, 牛智川, 張宇, 徐應(yīng)強(qiáng), 楊成奧, 謝圣文, 邵福會(huì), 尚金銘. 單片集成級(jí)聯(lián)量子阱寬調(diào)諧中紅外激光器及制備方法[P]. 北京市: CN112366514A, 2021-02-12.

[28]馬曉樂, 郭杰, 郝瑞亭, 艾爾肯•阿不都瓦衣提, 魏國帥, 孫帥輝, 方水柳, 李曉明, 王云鵬, 劉慧敏, 王國偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 牛智川. 一種基于Sb化物的中短波雙色紅外探測(cè)器及其制備方法[P]. 云南省: CN112164731A, 2021-01-01.

[29]施毅, 岳壯豪, 牛智川, 王國偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 蔣洞微, 常發(fā)冉, 李勇, 王軍轉(zhuǎn), 鄭有炓. 一種銻化物超晶格甚長(zhǎng)波紅外探測(cè)器中抑制擴(kuò)散暗電流的結(jié)構(gòu)[P]. 江蘇省: CN111710732A, 2020-09-25.

[30]施毅, 岳壯豪, 牛智川, 王國偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 蔣洞微, 常發(fā)冉, 李勇, 王軍轉(zhuǎn), 鄭有炓. 一種超晶格甚長(zhǎng)波紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)[P]. 江蘇省: CN111710733A, 2020-09-25.

[31]何小武, 牛智川, 張宇, 徐應(yīng)強(qiáng), 陳昊, 孫寶權(quán), 竇秀明, 尚向軍, 倪海橋, 任正偉, 劉汗青. 量子點(diǎn)單光子源、制備方法及其器件的制備方法[P]. 北京市: CN111525005A, 2020-08-11.

[32]張一, 牛智川, 張宇, 徐應(yīng)強(qiáng), 楊成奧, 謝圣文, 邵福會(huì), 尚金銘. 一種中紅外銻化物量子級(jí)聯(lián)激光器及其制備方法[P]. 北京市: CN111431033A, 2020-07-17.

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[4]施毅, 岳壯豪, 牛智川, 王國偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 蔣洞微, 常發(fā)冉, 李勇, 王軍轉(zhuǎn), 鄭有炓. 一種超晶格甚長(zhǎng)波紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)[P]. 江蘇省: CN111710733B, 2023-10-17.

[5]林芳祁, 牛智川, 徐應(yīng)強(qiáng), 王國偉, 李農(nóng), 周文廣, 蔣洞微, 蔣俊鍇, 常發(fā)冉, 陳偉強(qiáng), 李勇. 雙色異質(zhì)結(jié)光電晶體管及其制備方法[P]. 北京市: CN114335232B, 2023-04-14.

[6]蔣俊鍇, 牛智川, 徐應(yīng)強(qiáng), 王國偉, 蔣洞微, 常發(fā)冉, 李勇, 崔素寧, 陳偉強(qiáng). 周期漸變超晶格寬光譜紅外探測(cè)器及其制備方法[P]. 北京市: CN114582996B, 2023-03-24.

[7]周文廣, 牛智川, 徐應(yīng)強(qiáng), 王國偉, 蔣洞微, 吳東海, 蔣俊鍇, 常發(fā)冉, 李農(nóng), 林芳祁, 崔素寧, 陳偉強(qiáng). 一種短波雙色紅外探測(cè)器及其制備方法[P]. 北京市: CN114122185B, 2023-02-17.

[8]周文廣, 牛智川, 徐應(yīng)強(qiáng), 王國偉, 蔣洞微, 蔣俊鍇, 常發(fā)冉, 李農(nóng), 林芳祁, 崔素寧, 陳偉強(qiáng). 紅外探測(cè)器及其制備方法[P]. 北京市: CN113972296B, 2022-11-11.

[9]李叔倫, 牛智川, 倪海橋, 尚向軍, 劉冰, 朱小貴, 何勝. 微透鏡陣列耦合反射層結(jié)構(gòu)制備方法[P]. 北京市: CN113484941B, 2022-10-18.

[10]牛智川, 李農(nóng), 劉冰, 徐應(yīng)強(qiáng), 王國偉, 蔣洞微, 吳東海, 郝宏玥, 趙有文, 朱小貴, 何勝. 在GaSb襯底上生長(zhǎng)InAs層的生長(zhǎng)速度測(cè)定方法[P]. 江蘇省: CN113358677B, 2022-09-02.

[11]王國偉, 李農(nóng), 劉冰, 朱小貴, 李寧, 牛智川. 雙色探測(cè)器及其制備方法[P]. 江蘇省: CN113327991B, 2022-08-16.

[12]陳偉強(qiáng), 牛智川, 蔣洞微, 崔素寧, 李勇, 蔣俊鍇, 王國偉, 徐應(yīng)強(qiáng). 利用鈍化層負(fù)電化抑制側(cè)壁漏電流的探測(cè)器的制備方法[P]. 北京市: CN113113511B, 2022-07-26.

[13]郝宏玥, 牛智川, 徐應(yīng)強(qiáng), 王國偉, 蔣洞微, 吳東海. 一種紅外探測(cè)器及其制備方法[P]. 北京市: CN113488558B, 2022-04-29.

[14]張一, 牛智川, 張宇, 徐應(yīng)強(qiáng), 楊成奧, 謝圣文, 邵福會(huì), 尚金銘. 漸變摻雜寬波導(dǎo)帶間級(jí)聯(lián)激光器及其制備方法[P]. 北京市: CN109149368B, 2021-12-14.

[15]何小武, 牛智川, 張宇, 徐應(yīng)強(qiáng), 陳昊, 孫寶權(quán), 竇秀明, 尚向軍, 倪海橋, 任正偉, 劉汗青. 量子點(diǎn)單光子源、制備方法及其器件的制備方法[P]. 北京市: CN111525005B, 2021-06-18.

[16]岳壯豪, 施毅, 牛智川, 王國偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 蔣洞微, 常發(fā)冉, 李勇. 一種具有暗電流抑制結(jié)構(gòu)的銻化物超晶格甚長(zhǎng)波紅外探測(cè)器[P]. 江蘇省: CN110797424B, 2021-05-25.

[17]李叔倫, 牛智川, 倪海橋, 尚向軍, 陳瑤. 量子點(diǎn)單光子源及其微透鏡陣列的濕法腐蝕制備方法[P]. 北京市: CN111403567B, 2021-05-14.

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[19]張一, 牛智川, 張宇, 徐應(yīng)強(qiáng), 楊成奧, 謝圣文, 邵福會(huì), 尚金銘. 一種中紅外銻化物量子級(jí)聯(lián)激光器及其制備方法[P]. 北京市: CN111431033B, 2021-04-09.

[20]劉汗青, 牛智川, 倪海橋, 何小武, 尚向軍. 基于雙腔結(jié)構(gòu)的糾纏光源[P]. 北京市: CN110098563B, 2021-03-12.

[21]張一, 牛智川, 張宇, 徐應(yīng)強(qiáng), 楊成奧, 謝圣文, 邵福會(huì), 尚金銘. 一種中紅外波長(zhǎng)全覆蓋可調(diào)諧光模塊[P]. 北京市: CN111244757B, 2021-03-05.

[22]楊成奧, 牛智川, 張宇, 徐應(yīng)強(qiáng), 謝圣文, 張一, 尚金銘, 黃書山, 袁野, 蘇向斌, 邵福會(huì). 單片集成雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光器及其制備方法[P]. 北京市: CN111276867B, 2021-01-29.

[23]郭春妍, 魏思航, 蔣洞微, 王國偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 汪韜, 牛智川. 紅外探測(cè)器光陷阱結(jié)構(gòu)的制備方法[P]. 北京市: CN109802004B, 2021-01-15.

[24]尚向軍, 牛智川, 馬奔, 倪海橋, 李叔倫, 陳瑤, 何小武. 光纖耦合單光子源的濾光和二階關(guān)聯(lián)度測(cè)試裝置[P]. 北京市: CN111089648B, 2020-11-13.

[25]蔣志, 牛智川, 王國偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 孫姚耀, 韓璽, 蔣洞微. 一種分子束外延生長(zhǎng)長(zhǎng)波紅外超晶格界面的優(yōu)化方法[P]. 北京市: CN108648987B, 2020-10-09.

[26]謝圣文, 牛智川, 張宇, 徐應(yīng)強(qiáng), 邵福會(huì), 楊成奧, 張一, 尚金銘, 黃書山, 袁野, 蘇向斌. 基于數(shù)字合金勢(shì)壘的量子阱結(jié)構(gòu)、外延結(jié)構(gòu)及其制備方法[P]. 北京市: CN109217109B, 2020-05-26.

[27]楊成奧, 牛智川, 張宇, 徐應(yīng)強(qiáng), 謝圣文, 張一, 尚金銘. 片上集成半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)及其制備方法[P]. 北京市: CN109586159B, 2020-05-12.

[28]張一, 牛智川, 張宇, 徐應(yīng)強(qiáng), 楊成奧, 謝圣文, 邵福會(huì), 尚金銘. 中紅外超晶格帶間躍遷激光器及其制備方法[P]. 北京市: CN108988125B, 2020-04-21.

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[30]蔣志, 牛智川, 徐應(yīng)強(qiáng), 王國偉, 蔣洞微, 孫姚耀, 郭春妍, 賈慶軒, 常發(fā)冉. 基于銻化物的可見光-中紅外探測(cè)器及其制備方法[P]. 北京市: CN108899379B, 2019-10-25.

[31]孫姚耀, 韓璽, 王國偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 牛智川. 銦砷銻和銦鎵砷銻雙波段紅外探測(cè)器及制備方法[P]. 北京市: CN106298993B, 2018-09-04.

[32]馬奔, 陳澤升, 尚向軍, 倪海橋, 牛智川. 單光子源器件光纖陣列耦合輸出裝置、耦合系統(tǒng)及方法[P]. 北京市: CN106199856B, 2017-11-17.

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[38]裴康明, 倪海橋, 詹鋒, 董宇, 牛智川. 低暗電流的共振隧穿二極管高靈敏度探測(cè)器[P]. 北京市: CN104659145B, 2017-01-25.

[39]向偉, 王國偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 郝宏玥, 蔣洞微, 任正偉, 賀振宏, 牛智川. 一種雪崩光電二極管及其制作方法[P]. 北京市: CN104465853B, 2017-01-11.

[40]王莉娟, 喻穎, 査國偉, 徐建星, 倪海橋, 牛智川. 基于高折射率對(duì)比度光柵結(jié)構(gòu)的單光子發(fā)射器及其制作方法[P]. 北京市: CN103532010B, 2016-09-14.

[41]査國偉, 牛智川, 倪海橋, 尚向軍, 賀振宏. 利用AFM的探針制備圖形襯底的定位納米壓印系統(tǒng)[P]. 北京市: CN103592818B, 2016-08-17.

[42]蔣洞微, 向偉, 王娟, 邢軍亮, 王國偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 任正偉, 賀振宏, 牛智川. InAs/GaSb超晶格紅外光電探測(cè)器及其制備方法[P]. 北京市: CN103887360B, 2016-08-17.

[43]徐建星, 査國偉, 張立春, 魏思航, 倪海橋, 賀振宏, 牛智川. GaAs基二維電子氣等離子體震蕩太赫茲探測(cè)器的方法[P]. 北京市: CN104795461B, 2016-08-17.

[44]喻穎, 李密鋒, 賀繼方, 査國偉, 徐建星, 尚向軍, 王莉娟, 倪海橋, 賀振宏, 牛智川. 基于分叉納米線的多端量子調(diào)控器件的制備方法[P]. 北京市: CN103531441B, 2016-05-04.

[45]李密鋒, 喻穎, 賀繼方, 査國偉, 尚向軍, 倪海橋, 賀振宏, 牛智川. 一種低密度InAs量子點(diǎn)的分子束外延生長(zhǎng)方法[P]. 北京市: CN103194793B, 2016-04-13.

[46]喻穎, 査國偉, 徐建星, 尚向軍, 李密鋒, 倪海橋, 賀振宏, 牛智川. 制備六棱柱納米微腔中的量子點(diǎn)單光子源的方法[P]. 北京市: CN103531679B, 2016-03-23.

[47]邢軍亮, 張宇, 徐應(yīng)強(qiáng), 王國偉, 王娟, 向偉, 任正偉, 牛智川. 帶間級(jí)聯(lián)激光器及其制備方法[P]. 北京市: CN103579904B, 2015-11-18.

[48]王莉娟, 喻穎, 査國偉, 徐建星, 倪海橋, 牛智川. 一種提高光柵結(jié)構(gòu)均勻度的電子束曝光方法[P]. 北京市: CN103576221B, 2015-11-18.

[49]張宇, 邢軍亮, 徐應(yīng)強(qiáng), 任正偉, 牛智川. 一種具有W型有源區(qū)結(jié)構(gòu)的帶間級(jí)聯(lián)激光器[P]. 北京市: CN103545713B, 2015-11-11.

[50]査國偉, 李密鋒, 喻穎, 王莉娟, 徐建星, 尚向軍, 倪海橋, 賀振宏, 牛智川. 在GaAs納米線側(cè)壁生長(zhǎng)同質(zhì)量子結(jié)構(gòu)的MBE方法[P]. 北京市: CN103165418B, 2015-08-19.

[51]丁穎, 倪海橋, 李密鋒, 喻穎, 查國偉, 徐建新, 王莉娟, 牛智川. 硅基半導(dǎo)體超短脈沖激光器[P]. 北京市: CN103414106B, 2015-07-15.

[52]尚向軍, 倪海橋, 査國偉, 喻穎, 李密峰, 王莉娟, 徐建星, 牛智川. 自組織單量子點(diǎn)的定位方法及裝置[P]. 北京市: CN103163109B, 2015-03-11.

[53]査國偉, 喻穎, 李密峰, 王莉娟, 倪海橋, 賀正宏, 牛智川. 制備微透鏡陣列的方法[P]. 北京市: CN102967891B, 2014-08-27.

[54]邢軍亮, 張宇, 王國偉, 王娟, 王麗娟, 任正偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 牛智川. 雙波長(zhǎng)銻化物應(yīng)變量子阱半導(dǎo)體激光器及其制備方法[P]. 北京市: CN103078252B, 2014-08-20.

[55]賀繼方, 尚向軍, 倪海橋, 王海莉, 李密峰, 朱巖, 王莉娟, 喻穎, 賀正宏, 徐應(yīng)強(qiáng), 牛智川. 在襯底上生長(zhǎng)異變緩沖層的方法[P]. 北京市: CN102194671B, 2012-08-15.

[56]王國偉, 湯寶, 周志強(qiáng), 任正偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 牛智川. 一種制作InAs/GaSb超晶格紅外光電探測(cè)器的方法[P]. 北京市: CN101777601B, 2012-05-30.

[57]張宇, 王國偉, 湯寶, 任正偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 牛智川, 陳良惠. HPT結(jié)構(gòu)的InAs/GaSb超晶格紅外光電探測(cè)器[P]. 北京市: CN101814545B, 2012-01-04.

[58]王鵬飛, 吳東海, 吳兵朋, 熊永華, 詹峰, 黃社松, 倪海橋, 牛智川. 在鍺襯底上生長(zhǎng)無反相疇砷化鎵薄膜的分子束外延方法[P]. 北京市: CN101624725B, 2012-01-04.

[59]湯寶, 周志強(qiáng), 郝瑞亭, 任正偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 牛智川. GaAs基InAs/GaSb超晶格近紅外光電探測(cè)器及其制作方法[P]. 北京市: CN101576413B, 2010-12-01.

[60]郝瑞亭, 周志強(qiáng), 任正偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 牛智川. 一種在砷化鎵襯底上外延生長(zhǎng)銻化鎵的方法[P]. 北京市: CN100495646C, 2009-06-03.

[61]趙建華, 蔣春萍, 鄭厚植, 鄧加軍, 楊富華, 牛智川, 吳曉光. 無磁場(chǎng)測(cè)量稀磁半導(dǎo)體鎵錳砷鐵磁轉(zhuǎn)變溫度的方法[P]. 北京市: CN100412536C, 2008-08-20.

[62]牛智川, 倪海橋, 韓勤, 張石勇, 吳東海, 趙歡, 楊曉紅, 彭紅玲, 周志強(qiáng), 熊永華, 吳榮漢. 砷化鎵基1.5微米量子阱結(jié)構(gòu)及其外延生長(zhǎng)方法[P]. 北京市: CN100382347C, 2008-04-16.

[63]趙建華, 鄧加軍, 畢京峰, 牛智川, 楊富華, 吳曉光, 鄭厚植. 一種增加閃鋅礦結(jié)構(gòu)銻化鉻厚度的生長(zhǎng)方法[P]. 北京市: CN100355017C, 2007-12-12.

[64]徐曉華, 倪海橋, 牛智川, 賀正宏, 王建林. 高擊穿電壓的高電子遷移率晶體管[P]. 北京市: CN100342547C, 2007-10-10.

[65]劉金龍, 李樹深, 牛智川. 自組織砷化銦/砷化鎵盤狀量子點(diǎn)材料的制作方法[P]. 北京市: CN1312813C, 2007-04-25.

[66]牛智川, 倪海橋, 徐曉華, 徐應(yīng)強(qiáng), 張緯, 韓勤, 吳榮漢. 氣態(tài)束源爐瞬態(tài)開關(guān)控制真空裝置[P]. 北京市: CN1255572C, 2006-05-10.

[67]牛智川, 封松林, 楊富華, 王曉東, 汪輝, 李樹英, 苗振華, 李樹深. 1.3微米InGaAs/GaAs自組織量子點(diǎn)激光器材料及生長(zhǎng)該材料的方法[P]. 北京市: CN1145247C, 2004-04-07. 

實(shí)用新型：

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[2]馬曉樂, 郭杰, 郝瑞亭, 艾爾肯•阿不都瓦衣提, 魏國帥, 孫帥輝, 方水柳, 李曉明, 王云鵬, 劉慧敏, 王國偉, 徐應(yīng)強(qiáng), 牛智川. 一種基于Sb化物的中短波雙色紅外探測(cè)器[P]. 云南省: CN213242573U, 2021-05-18.

[3]佟存柱, 牛智川, 韓勤, 杜云, 吳榮漢. 可提高砷化鋁氧化均勻性的外延片承載裝置[P]. 北京: CN2777751, 2006-05-03.

出版專著：

[1]晶格工程，Lattice Engneering，Pan Stanford Publishing，2012-05，第5作者

代表性論文： 

1. Ying Yu, Xiu-Ming Dou,Bin Wei,Guo-Wei Zha,Li Wang,Xiang-Jun Shang, Dan Su, Jian-Xing Xu, Hai-Yan Wang, Hai-Qiao Ni, Bao-Quan Sun, Yuan Ji, Xiao-Dong Han, Zhi-Chuan Niu*, “Self-assembled quantum dot structures in a hexagonal nanowire for quantum Photonics”, Advanced Materials, 26(17), 2710(2014) 

2. Guowei Zha, Xiangjun Shang, Dan Su, Ying Yu, Bin Wei, Li Wang, Mifeng Li, Lijuan Wang, Jianxing Xu, Haiqiao Ni, Yuan Ji, Baoquan Sun and Zhichuan Niu*, “Self-assembly of single square quantum ring in gold-free GaAs nanowires”, Nanoscale, 6, 3190(2014) 

3. Geng Chen, Yang Zou, Xiao-Ye Xu, Jian-Shun Tang, Yu-Long Li, Jin-Shi Xu, Yong-Jian Han, Chuan-Feng Li, Guang-Can Guo, Hai-Qiao Ni, Ying Yu, Mi-Feng Li, Guo-Wei Zha, Zhi-Chuan Niu, Yaron Kedem, “Experimental Test of the State Estimation-Reversal Tradeoff Relation in General Quantum Measurements”, Physical Review X 4, 021043(2014) 

4. Juan Wang, Jun-Liang Xing, Wei Xiang, Guo-Wei Wang, Ying-Qiang Xu, Zheng-Wei Ren, and Zhi-Chuan Niu, Investigation of high hole mobility In0.41Ga0.59Sb/Al0.91Ga0.09Sb quantum well,structures grown by molecular beam epitaxy, Applied Physics Letters 104, 052111 (2014) 

5. Ying Yu, Mi-Feng Li, Ji-Fang He,Yu-Ming He, Yu-Jia Wei, and Yu He, Guo-Wei Zha, Xiang-Jun Shang, Juan Wang, Li-Juan Wang, Guo-Wei Wang, Hai-Qiao Ni, Chao-Yang Lu, and Zhi-Chuan Niu*, “Single InAs quantum dot grown at the junction of branched gold-free GaAs nanowire”, Nano Letters, 13,1399(2013). 

6. Guowei Zha, Mifeng Li, Ying Yu, Lijuan Wang, Jianxing Xu, Xiangjun Shang, Haiqiao Ni, and Zhichuan Niu*, “Strain-driven synthesis of self-catalyzed branched GaAs nanowires”, Appl. Phys. Lett. 102, 163115(2013) 

7. Ying Yu, Xiang-Jun Shang, Mi-Feng Li, Guo-Wei Zha, Jian-Xing Xu, Li-Juan Wang, Guo-Wei Wang, Hai-Qiao Ni, and Zhi-Chuan Niu*，Single InAs quantum dot coupled to different “environments” in one wafer，Appl. Phys. Lett. 102, 201103(2013). 

8. Juan Wang, Guowei Wang, Yingqiang Xu, Junliang Xing, Wei Xiang, Bao Tang, Yan Zhu, Zhengwei Ren, Zhenhong He, ZhiChuan Niu*, Molecular Beam Epitaxy Growth of High Electron Mobility InAs/AlSb Deep Quantum Well Structure，J. Appl. Phys. 114, 013704 (2013). 

9. K. Konthasinghe, M. Peiris, Y. Yu, M. F. Li, J. F. He, L. J. Wang, H. Q. Ni, Z. C. Niu, C. K. Shih,3 and A. Muller1, "Field-Field and Photon-Photon Correlations of Light Scattered by Two Remote Two-Level InAs Quantum Dots on the Same Substrate"，Physical Review Letters, 109, 267402 (2012). 

10. Wang, GW; Xu, YQ; Wang, L J, Ren, ZW; He, ZH; Xing, JL; Niu, ZC, “Complete fabrication study of InAs/GaSb superlattices for long-wavelength infrared detection”, J. Phys. D-Applied Phys, 45(26), 265103(2012) 

 發(fā)表中文期刊論文： 

[1]曹鈞天, 楊成奧, 陳益航, 余紅光, 石建美, 王天放, 聞皓冉, 王致遠(yuǎn), 耿崢琦, 張宇, 趙有文, 吳東海, 徐應(yīng)強(qiáng), 倪海橋, 牛智川. 高性能銻化物中紅外半導(dǎo)體激光器研究進(jìn)展[J]. 激光技術(shù), 1-16.

[2]萬浩然, 楊禹霖, 喬忠良, 李翔, JiaXu Brian Sia, 余文軍, 翁登群, 李再金, 李林, 陳浩, 趙志斌, 薄報(bào)學(xué), 高欣, 曲軼, 劉重陽, 汪宏, 張宇, 牛智川. 1967～2033 nm波段硅基可調(diào)諧外腔半導(dǎo)體激光器設(shè)計(jì)與仿真[J]. 中國激光, 2024, 51 (06): 82-91.

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[29]袁野, 蘇向斌, 楊成奧, 張一, 尚金銘, 謝圣文, 張宇, 倪海橋, 徐應(yīng)強(qiáng), 牛智川. 利用分子束外延在GaAs基上生長(zhǎng)高特征溫度的InAs量子點(diǎn)激光器（英文）[J]. 紅外與毫米波學(xué)報(bào), 2020, 39 (06): 667-670.

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[41]張靜, 呂紅亮, 倪海橋, 楊施政, 崔曉然, 牛智川, 張義門, 張玉明. Effects of growth temperature and metamorphic buffer on electron mobility of InAs film grown on Si substrate by molecular beam epitaxy[J]. Chinese Physics B, 2019, 28 (02): 428-433.

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[45]張一, 邵福會(huì), 楊成奧, 謝圣文, 黃書山, 袁野, 尚金銘, 張宇, 徐應(yīng)強(qiáng), 倪海橋, 牛智川. Room-temperature continuous-wave interband cascade laser emitting at 3.45 μm[J]. Chinese Physics B, 2018, 27 (12): 315-318.

[46]邵福會(huì), 張一, 蘇向斌, 謝圣文, 尚金銘, 趙云昊, 蔡晨元, 車仁超, 徐應(yīng)強(qiáng), 倪海橋, 牛智川. 1.3-μm InAs/GaAs quantum dots grown on Si substrates[J]. Chinese Physics B, 2018, 27 (12): 530-535.

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[156]倪海橋,徐曉華,張緯,徐應(yīng)強(qiáng),牛智川,吳榮漢. N,Sb和單分子層數(shù)對(duì)GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影響[J]. 物理學(xué)報(bào), 2004, (05): 1474-1482.

[157]魏全香,牛智川. 原子氫輔助MBE生長(zhǎng)的不同晶面GaAs表面形貌[J]. 半導(dǎo)體光電, 2004, (02): 162-164.

[158]蔡加法,孔令民,吳正云,陳主榮,牛智川. 自組織生長(zhǎng)InAs量子點(diǎn)的發(fā)光性質(zhì)研究[J]. 廈門大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版), 2003, (06): 732-735.

[159]孔令民,蔡加法,陳主榮,吳正云,牛智川. 自組織生長(zhǎng)單層InAs量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)中浸潤(rùn)層與量子點(diǎn)發(fā)光的時(shí)間分辨譜研究[J]. 量子電子學(xué)報(bào), 2003, (02): 208-212.

[160]張瑞康,楊曉紅,周震,徐應(yīng)強(qiáng),張瑋,杜云,黃永清,任曉敏,牛智川,吳榮漢. 微機(jī)械可調(diào)諧濾波器的研制(英文)[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 2003, (04): 347-350.

[161]周大勇,瀾清,孔云川,苗振華,封松林,牛智川. 原子氫輔助分子束外延生長(zhǎng)臺(tái)階狀表面形貌的研究[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 2003, (02): 148-152.

[162]李永平,瀾清,吳正龍,周大勇,孔云川,牛智川,田強(qiáng),楊錫震,王亞非. GaAs/Si/AlAs異質(zhì)結(jié)的帶階和GaAs生長(zhǎng)溫度的影響[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 2003, (02): 168-172.

[163]孔云川,周大勇,瀾清,劉金龍,苗振華,封松林,牛智川. 1.3微米發(fā)光自組織InAs/GaAs量子點(diǎn)的電致發(fā)光研究[J]. 人工晶體學(xué)報(bào), 2002, (06): 551-554.

[164]金光生,艾合買提•阿不力孜,李樹深,牛智川,楊富華,封松林. 固態(tài)量子計(jì)算[J]. 物理, 2002, (12): 773-778.

[165]瀾清,周大勇,孔云川,邊歷峰,苗振華,江德生,牛智川,封松林. 1.55μm波長(zhǎng)發(fā)光的自組織InAs量子點(diǎn)生長(zhǎng)[J]. 人工晶體學(xué)報(bào), 2002, (05): 464-467.

[166]李永平,田強(qiáng),牛智川,楊錫震,吳正龍,王亞非. GaAs/Si/AlAs異質(zhì)結(jié)不同生長(zhǎng)溫度Si夾層分布的CV實(shí)驗(yàn)研究[J]. 北京師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版), 2002, (04): 474-477.

[167]潘留仙,劉金龍,李樹深,牛智川,封松林,鄭厚植. InAs/GaAs單電子量子點(diǎn)量子比特的失相率[J]. 中國科學(xué)(A輯), 2002, (06): 556-559.

[168]潘留仙 ,牛智川 ,鄭厚植 ,李樹深 ,封松林 ,劉金龍. Dephasing rate in an InAs/GaAs single-electron quantum dot qubit[J]. Science in China,Ser.A, 2002, (05): 666-670.

[169]鐘源,黃永清,任曉敏,牛智川,吳榮漢. 平頂陡邊響應(yīng)的諧振腔增強(qiáng)型(RCE)光電探測(cè)器的分析[J]. 半導(dǎo)體光電, 2002, (01): 8-11.

[170]汪輝,牛智川,王海龍,王曉東,封松林. InAs/GaAs自組織量子點(diǎn)激發(fā)態(tài)的激射[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 2001, (03): 295-298.

[171]牛智川,王曉東,苗振華,封松林. InGaAs/GaAs自組織量子點(diǎn)光致發(fā)光特性研究[J]. 紅外與毫米波學(xué)報(bào), 2001, (01): 20-24.

[172]王曉東,劉會(huì)赟,牛智川,封松林. 不同組分In_xGa_(1-x)As(0≤x≤0.3)覆蓋層對(duì)自組織InAs量子點(diǎn)的影響[J]. 物理學(xué)報(bào), 2000, (11): 2230-2234.

[173]汪輝,王海龍,王曉東,牛智川,封松林. 生長(zhǎng)停頓對(duì)量子點(diǎn)激光器的影響[J]. 紅外與毫米波學(xué)報(bào), 2000, (05): 347-350.

[174]王曉東,汪輝,王海龍,牛智川,封松林. 低溫GaAs外延層上生長(zhǎng)InAs量子點(diǎn)的研究[J]. 紅外與毫米波學(xué)報(bào), 2000, (03): 177-180.

[175]牛智川,周增圻,潘鐘,吳榮漢. 可用于器件的側(cè)墻GaAs量子線列陣結(jié)構(gòu)[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 1999, (04): 46-50+90.

[176]牛智川,袁之良,周增圻,徐仲英,王守武. GaAs脊形量子線發(fā)光性質(zhì)的光致發(fā)光譜研究[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 1998, (11): 72-77.

[177]程文超,張子平,李國華,牛智川,徐仲英. GaAs/AlAs脊形量子線的光學(xué)研究[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 1998, (08): 72-75.

[178]牛智川,周增圻,吳榮漢,封松林,Ｒ．ＮＯＥＴＺＥＬ,Ｕ．ＪＡＨＮ,Ｋ．Ｈ．ＰＬＯＯＧ. GaAs均勻點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)的分子束外延圖形生長(zhǎng)[J]. 物理學(xué)報(bào), 1998, (08): 117-124.

[179]牛智川,周增圻,吳榮漢. 氫原子輔助MBE生長(zhǎng)對(duì)GaAs外延面形貌的影響[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 1998, (05): 8-12.

[180]牛智川,周增圻,韓勤,吳榮漢. 三角形點(diǎn)結(jié)構(gòu)的MBE生長(zhǎng)及其量子阱限制能量的橫向變化[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 1998, (04): 72-76+85.

[181]牛智川,周增圻,林耀望,李新峰,張益,胡雄偉,呂振東,袁之良,徐仲英. InGaAs/GaAs應(yīng)變脊形量子線分子束外延非平面生長(zhǎng)研究[J]. 物理學(xué)報(bào), 1997, (05): 138-143.

[182]牛智川，黎健. MBE生長(zhǎng)輕摻硅GaAs材料光熒光譜雜質(zhì)特性研究[J]. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展, 1996, (02): 133-136.

[183]牛智川，周增圻，林耀望，周帆，潘昆，張子瑩，祝亞芹，王守武. GaAs脊形量子線結(jié)構(gòu)的MBE生長(zhǎng)機(jī)理研究[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 1996, (03): 227-230+242.

[184]牛智川，周增圻，林耀望，李朝勇. MBE生長(zhǎng)輕摻Si高遷移率GaAs材料的雜質(zhì)補(bǔ)償特性研究[J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 1995, (12): 897-900.

[185]吳榮漢，周增圻，林耀望，潘鐘，黃永箴，李朝勇，牛智川，王圩. 亞毫安室溫連續(xù)工作InGaAs垂直腔面發(fā)射激光器[J]. 高技術(shù)通訊, 1995, (09): 24-26.

發(fā)表會(huì)議論文 

[1]戴德琰,陳益航,劉汗青,蘇向斌,尚向軍,徐建星... & 牛智川. (2024). 具有高動(dòng)態(tài)范圍的InP基太赫茲光電導(dǎo)天線. (eds.) 2024年全國微波毫米波會(huì)議論文匯編（下冊(cè)） (pp.759-761). 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所光電子材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國科學(xué)院大學(xué)材料與光電研究中心;中國工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心;中國工程物理研究院電子工程研究所;

[2]楊成奧,謝圣文,張一,尚金銘,袁野,張宇... & 牛智川. (2019). 2～4μm銻化物中紅外半導(dǎo)體激光器研究. (eds.) 全國第十七屆紅外加熱暨紅外醫(yī)學(xué)發(fā)展研討會(huì)論文及論文摘要集 (pp.285). 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;

[3]李歡, 謝圣文, 張宇, 柴小力, 黃書山, 王金良 & 牛智川. (2017). 1880nm側(cè)向耦合分布反饋激光器的研究. (eds.) 第五屆激光先進(jìn)制造技術(shù)應(yīng)用研討會(huì)會(huì)議手冊(cè) (pp.59-66). 北京航空航天大學(xué)物理與核能工程學(xué)院;中科院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院;

[4]牛智川,李密鋒,喻穎,査國偉,王莉娟,王國偉... & 倪海橋. (2012). 半導(dǎo)體自組織納米結(jié)構(gòu)的分子束外延生長(zhǎng)與量子器件制備. (eds.) 中國真空學(xué)會(huì)2012學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集 (pp.60). 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;

[5]邢軍亮,張宇,王國偉,王娟,任正偉,徐應(yīng)強(qiáng)... & 牛智川. (2012). 高溫(80℃)連續(xù)激射2μm波段銻化物量子阱激光器. (eds.) 第十屆全國光電技術(shù)學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集 (pp.209-210). 超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;納米光電子實(shí)驗(yàn)室,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;

[6]王國偉, 王娟, 邢軍亮, 徐應(yīng)強(qiáng), 任正偉, 賀振宏 & 牛智川. (2012). 中長(zhǎng)波InAs/GaSb超晶格材料及探測(cè)器研究. (eds.) 第十屆全國光電技術(shù)學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集 (pp.96-97). 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;

[7]史衍麗, 何雯瑾, 張衛(wèi)鋒, 胡銳, 鄧功榮, 徐應(yīng)強(qiáng) & 牛智川. (2012). 新型Sb基二類超晶格紅外探測(cè)器. (eds.) 第十屆全國光電技術(shù)學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集 (pp.112-115). 昆明物理研究所;中科院半導(dǎo)體研究所;

[8]朱巖, 倪海橋, 王海莉, 賀繼方, 李密峰, 尚向軍 & 牛智川. (2010). GaAs基異變量子阱. (eds.) 中國光學(xué)學(xué)會(huì)2010年光學(xué)大會(huì)論文集 (pp.2976-2984). 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;

[9]王鵬飛, 熊永華, 吳兵朋, 倪海橋, 黃社松 & 牛智川. (2008). 異變生長(zhǎng)GaAs基長(zhǎng)波長(zhǎng)InAs垂直耦合量子點(diǎn). (eds.) 第十五屆全國化合物半導(dǎo)體材料，微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議論文集 (pp.59-62). 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;

[10]牛智川, 竇秀明, 熊永華, 王海莉, 黃社松, 倪海橋 & 孫寶權(quán). (2008). 半導(dǎo)體量子點(diǎn)單光子發(fā)射器件. (eds.) 中國真空學(xué)會(huì)2008年學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集 (pp.49). 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;

[11]朱匯,鄭厚植,李桂榮,牛智川,曾一平,張飛... & 談笑天. (2007). 三勢(shì)壘雙阱隧穿結(jié)構(gòu)中調(diào)控發(fā)射阱中的電子積累對(duì)電子共振隧穿特性的影響. (eds.) 第十六屆全國半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集 (pp.111). 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;

[12]朱匯,鄭厚植,李桂榮,牛智川,曾一平,張飛... & 談笑天. (2007). 三勢(shì)壘隧穿結(jié)構(gòu)中的高峰谷比光生空穴共振隧穿. (eds.) 第十六屆全國半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集 (pp.111-112). 

[13]郝瑞亭, 徐應(yīng)強(qiáng), 周志強(qiáng), 任正偉 & 牛智川. (2007). 2～3μm GaAs基InAs/GaSb超晶格材料. (eds.) 2007年紅外探測(cè)器及其在系統(tǒng)中的應(yīng)用學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集 (pp.41-43). 

[14]趙歡,彭紅玲,佟存柱,倪海橋,張石勇,吳東海... & 吳榮漢. (2005). 室溫連續(xù)激射1.3μm InAs/GaAs量子點(diǎn)激光器. (eds.) 光電技術(shù)與系統(tǒng)文選——中國光學(xué)學(xué)會(huì)光電技術(shù)專業(yè)委員會(huì)成立二十周年暨第十一屆全國光電技術(shù)與系統(tǒng)學(xué)術(shù)會(huì)議論文集 (pp.178-182).  

[15]徐應(yīng)強(qiáng), 彭紅玲, 楊曉紅, 倪海橋, 韓勤, 牛智川 & 吳榮漢. (2005). 1.5μm GaInNAs/GaAs多量子阱共振腔增強(qiáng)探測(cè)器. (eds.) 光電技術(shù)與系統(tǒng)文選——中國光學(xué)學(xué)會(huì)光電技術(shù)專業(yè)委員會(huì)成立二十周年暨第十一屆全國光電技術(shù)與系統(tǒng)學(xué)術(shù)會(huì)議論文集 (pp.724-728). 

[16]牛智川,王曉東,汪輝,孔云川,瀾清,周大勇... & 封松林. (2001). In_xGa_(1-x)As/GaAs自組織量子點(diǎn)材料、物理與器件. (eds.) 2001年納米和表面科學(xué)與技術(shù)全國會(huì)議論文摘要集 (pp.12-13). 

專利與獎(jiǎng)勵(lì)

1、2006年度北京市科技二等獎(jiǎng)。 

2、2014中國電子學(xué)會(huì)自然科學(xué)一等獎(jiǎng)。

3、中科院“百人計(jì)劃”入選者

4、“國家杰出青年科學(xué)基金”獲得者

5、“新世紀(jì)百千萬人才工程國家級(jí)人選（首批）”

6、“國務(wù)院政府特殊津貼”獲得者，

7、國家重大科學(xué)研究計(jì)劃首席科學(xué)家。

8、曾獲國家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)

9、多名研究生獲得中科院優(yōu)秀獎(jiǎng)和冠名獎(jiǎng)，國家優(yōu)秀留學(xué)生獎(jiǎng)等。 

      媒體報(bào)道：

1 銻化物半導(dǎo)體開拓先鋒——記中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員牛智川 李莉;王輝 科學(xué)中國人 2023-09-25 特色期刊  

2 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員牛智川:量子衛(wèi)星厚積薄發(fā) 任重道遠(yuǎn) 倪偉波 科學(xué)新聞2016-05-25 期刊  

3 牛智川：讓夢(mèng)想照進(jìn)現(xiàn)實(shí) 張強(qiáng) 科技日?qǐng)?bào)2007-01-23 報(bào)紙  

4 自主創(chuàng)新,推動(dòng)前沿學(xué)科發(fā)展——記中科院半導(dǎo)體研究所研究員牛智川 白楊 科學(xué)中國人 2006-01-30 特色期刊

 

 

奔走在半導(dǎo)體領(lǐng)域的開拓者 ——中國科學(xué)院大學(xué)牛智川教授

2024-07-08 13:46:11 | 來源：中國網(wǎng) 

在科研的路途中，固然山高水深，寒暑風(fēng)雨，但只要初心如磐，奮楫篤行，終能讓夢(mèng)想照進(jìn)現(xiàn)實(shí)。中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員，博士生導(dǎo)師，中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院量子光電子學(xué)首席教授牛智川，就是在這樣的風(fēng)雨兼程中，實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體材料的突破。 

 

銻化物材料的突破 

半導(dǎo)體是一種材料，是現(xiàn)代科技不可或缺的技術(shù)。半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展一代材料體系、形成一代器件技術(shù)。本世紀(jì)初，銻化物半導(dǎo)體材料，即GaSb基晶格匹配異質(zhì)結(jié)、量子阱、超晶格體系獲得業(yè)界高度重視，其破隙型窄帶隙能帶構(gòu)型和材料組分適于能帶工程設(shè)計(jì)調(diào)控和先進(jìn)的III－V族半導(dǎo)體工藝，為突破傳統(tǒng)紅外半導(dǎo)體長(zhǎng)期瓶頸提供全新路徑。 

近年來GaSb單晶、襯底與外延材料技術(shù)的突破，極大地促進(jìn)了中波紅外激光器、中長(zhǎng)波紅外探測(cè)器的技術(shù)跨越，其應(yīng)用價(jià)值得到確認(rèn)，2009年起西方實(shí)施銻化物半導(dǎo)體出口管控。 

“只有將科技掌握在自己的手中，才能真正的安心，放心。”近些年來，中國的科研工作者經(jīng)歷了太多這樣的波折，所以，面對(duì)封鎖，牛智川教授沒有抱怨，更沒有放棄，他知道，這是中國制造必然要走的一步。 

銻化物材料屬于多元素化合物體系，相比于其他材料，銻化物量子阱超晶格等低維材料的能帶結(jié)構(gòu)最為復(fù)雜，器件臺(tái)面、腔面表面氧化性質(zhì)懸殊，實(shí)現(xiàn)高光電效率激光發(fā)光和探測(cè)器的能帶設(shè)計(jì)優(yōu)化、外延材料質(zhì)量調(diào)控、器件高穩(wěn)定性的工藝結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法、高可靠性大功率輸出熱場(chǎng)等綜合表征與優(yōu)化等，都是該器件技術(shù)的核心科學(xué)難題。 

作為長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體低維材料物理與量子光電子器件技術(shù)研究的探索者，牛智川教授率先在我國開拓銻化物半導(dǎo)體外延材料與紅外光電器件技術(shù)方向。他帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)針對(duì)銻化物多元復(fù)雜材料能帶設(shè)計(jì)及外延生長(zhǎng)技術(shù)的挑戰(zhàn)難題，聚焦中波紅外量子阱激光器波長(zhǎng)拓展效率提升、長(zhǎng)波紅外超晶格探測(cè)器暗電流抑制效率優(yōu)化等關(guān)鍵科學(xué)問題和應(yīng)用發(fā)展需求，歷經(jīng)20年攻關(guān)，成績(jī)斐然。 

他，不僅發(fā)明GaSb基二元AlSb／AlAs／AlSb／GaSb超晶格數(shù)字合金，克服銻化物四元、五元合金組分精確控制和組分互溶，提升光學(xué)質(zhì)量和發(fā)光效率；發(fā)明As／Sb、Ga／In雙交叉外延技術(shù)，提升超晶格質(zhì)量和載流子壽命；創(chuàng)新外延技術(shù)，解決應(yīng)力平衡、缺陷界面調(diào)控、表面顆粒抑制難題；銻化物量子阱材料用于2－4微米中波紅外激光器，激光單管／巴條／模組的室溫連續(xù)功率分別達(dá)到2.6瓦／18.4瓦／172瓦的國際最高記錄（超越禁運(yùn)指標(biāo)），超晶格材料用于中長(zhǎng)波紅外探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了單色、雙色焦平面探測(cè)器，國際首次報(bào)道＞14微米甚長(zhǎng)波焦平面成像芯片。 

這些成果標(biāo)志著中國的單晶、襯底與外延材料及器件技術(shù)成功突破封鎖，2023年7月，我國發(fā)布銻化物材料管制法規(guī)，自此，國內(nèi)的銻化物半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)現(xiàn)了跨越式的升級(jí)。 

乘風(fēng)破浪的探索 

從零開始，一路披荊斬棘，屢獲突破，到現(xiàn)在，整個(gè)銻化物半導(dǎo)體紅外光電產(chǎn)業(yè)鏈逐漸完善和發(fā)展，牛智川教授依靠的就是開拓創(chuàng)新，砥礪前行。 

眾所周知，科研是永無止境的，半導(dǎo)體領(lǐng)域的探索更是如此，InAs／GaAs量子點(diǎn)量子光源、InGaAsSb量子阱大功率與單模激光器的問世，就是牛智川教授持續(xù)深耕探索的見證。 

InAs／GaAs基量子點(diǎn)量子光源。面向量子光源核心器件基礎(chǔ)研究前沿和量子信息系統(tǒng)重要需求，圍繞半導(dǎo)體量子點(diǎn)生長(zhǎng)密度和均勻性控制技術(shù)挑戰(zhàn)，研究發(fā)展亞單層InAs循環(huán)、束流梯度分布外延新技術(shù)，揭示液滴法生長(zhǎng)量子環(huán)機(jī)理，突破量子點(diǎn)相干發(fā)光效率、單光子發(fā)光速率和全同性瓶頸，實(shí)現(xiàn)三項(xiàng)全優(yōu)性能單光子源，實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)單光子量子態(tài)存儲(chǔ)（Nat.Comm），發(fā)展量子點(diǎn)拓?fù)浣菓B(tài)激光（Light），為構(gòu)建全固態(tài)量子網(wǎng)絡(luò)提供半導(dǎo)體量子光源器件解決方案。 

InGaAs（Sb）量子阱激光器。面向中短波紅外激光重大需求，圍繞量子阱應(yīng)變臨界束縛、拓展波長(zhǎng)、提升功效難度難題，發(fā)明銻化物數(shù)字合金勢(shì)壘結(jié)構(gòu)，研制成功1.9－3.6微米高功率和單模激光器，其中2.0微米激光器的室溫連續(xù)功率國際領(lǐng)先突破卡脖子（禁運(yùn)）條例，發(fā)光效率和單模性能超越國際同行。 

花會(huì)沿路盛開，牛智川教授的科研之路也會(huì)如此。一個(gè)有堅(jiān)定信念的探索者，總是能夠從容的面對(duì)荊棘，能以智慧扛起身負(fù)的責(zé)任和使命。作為中國的半導(dǎo)體人，牛智川教授始終對(duì)中國的半導(dǎo)體充滿了期待，他認(rèn)為，中國的半導(dǎo)體處于黃金發(fā)展時(shí)期，但任何產(chǎn)業(yè)的發(fā)展都不會(huì)一蹴而就，半導(dǎo)體的探索是一場(chǎng)接力賽，“只要有更多的人投入到半導(dǎo)體領(lǐng)域，中國的半導(dǎo)體技術(shù)，才會(huì)不斷突破，產(chǎn)業(yè)才會(huì)實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。”他這樣說，也在這樣做。 

作為博士生導(dǎo)師，牛智川教授十分關(guān)注學(xué)生的成長(zhǎng)，畢竟，知識(shí)需要傳承，科技需要接力，所以，他對(duì)學(xué)生的學(xué)業(yè)和科研要求嚴(yán)格，同時(shí)，對(duì)于學(xué)生遇到的問題，也給予指導(dǎo)和引導(dǎo)。目前，他已培養(yǎng)百余位碩士博士學(xué)位高級(jí)科技人才，這些人才走向了各自的工作崗位，繼續(xù)助力中國半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展。 

而牛智川教授本人，則繼續(xù)以國家需求為目標(biāo)，通過承擔(dān)國家重點(diǎn)任務(wù)立足銻化物半導(dǎo)體領(lǐng)域，在基礎(chǔ)研究成果之上，聯(lián)合國內(nèi)產(chǎn)學(xué)研用各方面力量，發(fā)起成立銻化物半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)發(fā)展聯(lián)盟，通過聯(lián)盟方式針對(duì)各方需求，為國內(nèi)各裝備行業(yè)及高科技企業(yè)開發(fā)多功能高性能光電芯片，推動(dòng)長(zhǎng)期受限于國外技術(shù)封鎖的紅外高端光電芯片的自主可控全鏈條技術(shù)進(jìn)步，實(shí)現(xiàn)從部分性能的超越領(lǐng)跑和滿足各類需求的全鏈條解決方案。 

當(dāng)前，半導(dǎo)體技術(shù)的代際更替已經(jīng)進(jìn)入了微電子與光電子技術(shù)的并重發(fā)展時(shí)代，銻化物窄帶隙半導(dǎo)體呈現(xiàn)出第四代半導(dǎo)體光電芯片技術(shù)發(fā)展的重大潛力。 

未來，牛智川教授將以銻化物半導(dǎo)體光電材料與芯片為中心，面向智能化信息技術(shù)新時(shí)代廣泛需求，建設(shè)完整的技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)制造鏈條，并以這樣的方式，提升中國半導(dǎo)體的整體競(jìng)爭(zhēng)和研發(fā)能力。 

在這個(gè)喧囂的時(shí)代里，牛智川教授始終踏踏實(shí)實(shí)，創(chuàng)新探索。不被繁華迷惑，不被名利捆綁，心里，眼里，始終是中國的半導(dǎo)體，或許，正是這份堅(jiān)定，這份執(zhí)著，讓他在這個(gè)領(lǐng)域碩果累累。這就是牛智川，這就是中國的半導(dǎo)體人。

 

個(gè)人簡(jiǎn)介 

牛智川，中國科學(xué)院半導(dǎo)體所二級(jí)研究員，博導(dǎo)，中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院量子光電子學(xué)首席教授。入選中科院“BR計(jì)劃”，“國家杰出青年科學(xué)基金”、“新世紀(jì)百千萬人才工程國家級(jí)人選（首批）”、“國務(wù)院政府特殊津貼”等。先后主持了國家863計(jì)劃，國家973重大科學(xué)研究計(jì)劃，國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研發(fā)計(jì)劃等項(xiàng)目，在國際頂尖學(xué)術(shù)期刊發(fā)表了400多篇論文，曾獲得北京市自然科學(xué)二等獎(jiǎng)，中國電子學(xué)會(huì)自然科學(xué)一等獎(jiǎng)，湖北省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)等。 

近年來積極推動(dòng)引領(lǐng)新型銻化物半導(dǎo)體材料與器件成果轉(zhuǎn)化，推動(dòng)了相關(guān)制造與裝備技術(shù)進(jìn)步。

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