代表性論文:
1. Title: Crossover of the three-dimensional topological insulator Bi2Se3 to the two-dimensional limit
Author(s): Zhang, Yi; He, Ke; Chang, Cui-Zu; et al.
Source: Nature Physics Volume: 6 Issue: 8 Pages: 584-588 Published: AUG 2010
DOI: 10.1038/NPHYS1689
2. Title: Discovery of a Three-Dimensional Topological Dirac Semimetal, Na3Bi
Author(s): Liu, Z. K.; Zhou, B.; Zhang, Y.; et al.
Source: Science Volume: 343 Issue: 6173 Pages: 864-867 Published: FEB 21 2014
DOI: 10.1126/science.1245085
3. Title: A stable three-dimensional topological Dirac semimetal Cd3As2
Author(s):Z. K. Liu, J. Jiang, B. Zhou, Z. J. Wang, Y. Zhang, H. M. Weng, D. Prabhakaran, S-K. Mo, H. Peng, P. Dudin, T. Kim, M. Hoesch, Z. Fang, X. Dai, Z. X. Shen, D. L. Feng, Z. Hussain & Y. L. Chen.
Source: Nature Materials Volume: 13 Issue: 7 Pages: 677-681 Published: JUL 2014
Times Cited: 176
DOI: 10.1038/NMAT3990
4. Title: Giant bandgap renormalization and excitonic effects in a monolayer transition metal dichalcogenide semiconductor
Author(s): Miguel M. Ugeda, Aaron J. Bradley, Su-Fei Shi, Felipe H. da Jornada, Yi Zhang, Diana Y. Qiu, Wei Ruan, Sung-Kwan Mo, Zahid Hussain, Zhi-Xun Shen, Feng Wang, Steven G. Louie & Michael F. Crommie.
Source: Nature Materials Volume: 13 Issue: 12 Pages: 1091-1095 Published: DEC 2014
DOI: 10.1038/NMAT4061
5. Title: Direct observation of the transition from indirect to direct bandgap in atomically thin epitaxial MoSe2
Author(s): Zhang, Yi; Chang, Tay-Rong; Zhou, Bo; et al.
Source: Nature Nanotechnology Volume: 9 Issue: 2 Pages: 111-115 Published: FEB 2014
DOI: 10.1038/NNANO.2013.277
6. Title: Electron interaction-driven insulating ground state in Bi2Se3 topological insulators in the two-dimensional limit
Author(s): Minhao Liu, Cui-Zu Chang, Zuocheng Zhang, Yi Zhang, Wei Ruan, Ke He, Li-li Wang, Xi Chen, Jin-Feng Jia, Shou-Cheng Zhang, Qi-Kun Xue, Xucun Ma, and Yayu Wang.
Source: Physical Review B Volume: 83 Issue: 16 Published: APR 26 2011
DOI: 10.1103/PhysRevB.83.165440
7. Title: Topological insulator Bi2Se3 thin films grown on double-layer graphene by molecular beam epitaxy
Author(s):Can-Li Song, Yi-Lin Wang, Ye-Ping Jiang, Yi Zhang, Cui-Zu Chang, Lili Wang, Ke He, Xi Chen, Jin-Feng Jia, Yayu Wang, Zhong Fang, Xi Dai, Xin-Cheng Xie, Xiao-Liang Qi, Shou-Cheng Zhang, Qi-Kun Xue, and Xucun Ma .
Source: Applied Physics Letters Volume: 97 Issue: 14 Published: OCT 4 2010
DOI: 10.1063/1.3494595
8. Title: Weyl semimetal phase in the non-centrosymmetric compound TaAs
Author(s): L. X. Yang, Z. K. Liu, Y. Sun, H. Peng, H. F. Yang, T. Zhang, B. Zhou, Y. Zhang, Y. F. Guo, M. Rahn, D. Prabhakaran, Z. Hussain, S.-K. Mo, C. Felser, B. Yan & Y. L. Chen .
Source: Nature Physics Volume: 11 Issue: 9 Pages: 728-+ Published: SEP 2015
DOI: 10.1038/NPHYS3425
9. Title: Doping effects of Sb and Pb in epitaxial topological insulator Bi2Se3 thin films: An in situ angle-resolved photoemission spectroscopy study
Author(s): Zhang, Yi; Chang, Cui-Zu; He, Ke; et al.
Source: Applied Physics Letters Volume: 97 Issue: 19 Published: NOV 8 2010
DOI: 10.1063/1.3516160
10. Title: Probing the Role of Interlayer Coupling and Coulomb Interactions on Electronic Structure in Few-Layer MoSe2 Nanostructures
Author(s): Bradley, Aaron J.; Ugeda, Miguel M.; Zhang, Yi; da Jornada, Felipe H.; et al.
Source: Nano Letters Volume: 15 Issue: 4 Pages: 2594-2599 Published: APR 2015
DOI: 10.1021/acs.nanolett.51300160
11. Title: Evolution of the Fermi surface of Weyl semimetals in the transition metal pnictide family
Author(s): Z. K. Liu, L. X. Yang, Y. Sun, T. Zhang, H. Peng, H. F. Yang, C. Chen, Y. Zhang, Y. F. Guo, D. Prabhakaran, M. Schmidt, Z. Hussain, S.-K. Mo, C. Felser, B. Yan & Y. L. Chen.
Source: Nature Materials Volume: 15 Issue: 1 Pages: 27-+ Published: JAN 2016
DOI: 10.1038/NMAT4457
12. Title: Molecular beam epitaxial growth of a three-dimensional topological Dirac semimetal Na3Bi
Author(s): Zhang, Yi; Liu, Zhongkai; Zhou, Bo; et al.
Source: Applied Physics Letters Volume: 105 Issue: 3 Published: JUL 21 2014
DOI: 10.1063/1.4890940
13. Title: Characterization of collective ground states in single-layer NbSe2
Author(s): Ugeda, Miguel M.; Bradley, Aaron J.; Zhang, Yi; et al.
Source: Nature Physics Volume: 12 Issue: 1 Pages: 92-U126 Published: JAN 2016
DOI: 10.1038/NPHYS3527
14. Title: Self-Assembled Pb Nanostructures on Si(111) Surfaces: From Nanowires to Nanorings
Author(s): Wu, Rui; Zhang, Yi; Pan, Feng; et al.
Source: Advanced Materials Volume: 21 Issue: 45 Pages: 4609-4613 Published: DEC 4 2009
DOI: 10.1002/adma.200901063
15. Title: Charge density wave transition in single-layer titanium diselenide
Author(s): P Chen, Y. -H. Chan, X. -Y. Fang, Y Zhang, M Y Chou, S. -K. Mo, Z Hussain, A. -V. Fedorov & T. -C. Chiang .
Source: Nature Communications Volume: 6 Published: NOV 2015
DOI: 10.1038/ncomms9943
16. Title: Atomic-Scale Study of Ge-Induced Incommensurate Phases on Si(111)
Author(s): Wu Rui; Wang Li-Li; Zhang Yi; et al.
Source: Chinese Physics Letters Volume: 27 Issue: 2 Published: FEB 2010
DOI: 10.1088/0256-307X/27/2/026802
17. Title: Band structure and Fermi surface of atomically uniform lead films
Author(s):Shaolong He , Zhenhua Zeng , Masashi Arita , Masahiro Sawada , Kenya Shimada , Shan Qiao, Guoling Li, Wei-Xue Li, Yan-Feng Zhang, Yi Zhang, Xucun Ma, Jinfeng Jia, Qi-Kun Xue, Hirofumi Namatame and Masaki Taniguchi
Source: New Journal of Physics Volume: 12 Published: NOV 17 2010
DOI: 10.1088/1367-2630/12/11/113034
18. Title: Studies of synthesizing behaviors and superconductivity of sol-gel YBa2Cu3O7-x samples in flowing oxygen atmosphere
Author(s): Luo, Ting; Zhang, Yi; Li, Xing-guo; et al.
Source: Frontiers of Physics in China Volume: 3 Issue: 1 Pages: 55-60 Published: FEB 2008
DOI: 10.1007/s11467-008-0009-z
19. Title: Electronic Structure, Surface Doping, and Optical Response in Epitaxial WSe2 Thin Films.
Author(s): Zhang, Yi; Ugeda, Miguel M; Jin, Chenhao; et al.
Source: Nano letters Volume: 16 Issue: 4 Pages: 2485-91 Published: 2016-Apr-13
DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b00059
材料科學(xué)探路者
——記南京大學(xué)物理學(xué)院教授張翼
百萬(wàn)年來(lái),人類相繼走過(guò)舊石器時(shí)代、新石器時(shí)代、青銅器時(shí)代、鐵器時(shí)代、鋼鐵時(shí)代……直到20世紀(jì)50年代,半導(dǎo)體材料開始應(yīng)用和發(fā)展,人類進(jìn)入信息時(shí)代。人們逐漸意識(shí)到,先進(jìn)材料對(duì)于高技術(shù)發(fā)展的重要作用,于是材料科學(xué)就此誕生。
2015年,張翼入選“青年****”,回到南京大學(xué)物理學(xué)院工作,并在材料科學(xué)領(lǐng)域不斷開拓創(chuàng)新。他說(shuō):“材料科學(xué)走在人類最前面,我們要時(shí)刻保持靈敏的嗅覺,引領(lǐng)材料的發(fā)展方向,我就是一個(gè)探路者。”
知之者不如好之者
中學(xué)時(shí)期,張翼在物理學(xué)方面的天分使他脫穎而出。在高中物理老師的指導(dǎo)和鼓勵(lì)下,他對(duì)物理投入的學(xué)習(xí)時(shí)間越來(lái)越多,興趣也越來(lái)越濃厚。他說(shuō):“每個(gè)人都有自己的興趣,一旦發(fā)掘出來(lái),經(jīng)過(guò)慢慢培養(yǎng),興趣便會(huì)放大。”
在興趣的驅(qū)使下,張翼在物理學(xué)上越走越遠(yuǎn)。他參加了高中物理競(jìng)賽,一路過(guò)關(guān)斬將,最終獲得第18屆全國(guó)中學(xué)生物理競(jìng)賽決賽一等獎(jiǎng),并被保送到北大物理系。
大學(xué)時(shí)光總是匆匆而逝,臨近畢業(yè)時(shí),張翼也曾感到迷茫。盡管一如既往地?zé)釔畚锢恚淮_定是否應(yīng)該選擇科研這條道路。“畢業(yè)時(shí),班主任針對(duì)我們的性格特點(diǎn),在畢業(yè)紀(jì)念冊(cè)上為每個(gè)人寫了一句寄語(yǔ),他希望我成為班里的第一名院士。”
這句寄語(yǔ)張翼一直銘記在心,老師的期望使他對(duì)物理科學(xué)研究的追求更加堅(jiān)定。2006年,大學(xué)畢業(yè)的張翼在中國(guó)科學(xué)院物理研究所繼續(xù)深造。5年時(shí)間里,他相繼獲得中國(guó)科學(xué)院物理研究所所長(zhǎng)表彰獎(jiǎng)、優(yōu)秀獎(jiǎng),中國(guó)科學(xué)院院長(zhǎng)優(yōu)秀獎(jiǎng)。
張翼優(yōu)秀的科研才能在博士期間便展現(xiàn)出來(lái)。他首次觀測(cè)到了拓?fù)銪i2Se2薄膜在厚度小于6層時(shí),由于上下表面態(tài)耦合而產(chǎn)生的能隙打開現(xiàn)象,并對(duì)該現(xiàn)象給出了清晰的物理圖像和理論解釋。此項(xiàng)工作以第一作者發(fā)表在Nature Physics上,使人們對(duì)拓?fù)浣^緣體和其相關(guān)物理現(xiàn)象的認(rèn)識(shí)和理解前進(jìn)了一大步,在國(guó)際上引起巨大反響,并入選2010年“中國(guó)百篇最具影響國(guó)際學(xué)術(shù)論文”。
博士畢業(yè)后,他作為美國(guó)勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室和SLAC國(guó)家加速實(shí)驗(yàn)室的聯(lián)合博士后在伯克利實(shí)驗(yàn)室先進(jìn)光源(ALS)從事博士后研究。
2010年12月,我國(guó)“青年**劃”正式啟動(dòng),這為張翼回國(guó)提供了很好的平臺(tái)。2014年5月,南京大學(xué)物理學(xué)院對(duì)張翼進(jìn)行了面試。專家一致認(rèn)為,他是一位接受過(guò)優(yōu)秀科學(xué)訓(xùn)練和具有獨(dú)特創(chuàng)造力的年輕科學(xué)家,是拓?fù)淞孔游镔|(zhì)和低維材料研究領(lǐng)域年輕學(xué)者中的佼佼者,完全具備成為該領(lǐng)域?qū)W術(shù)帶頭人的成長(zhǎng)潛力。
回國(guó)后,張翼一直籌備著新實(shí)驗(yàn)室的建設(shè)及設(shè)計(jì)、購(gòu)置和搭建所需要的儀器設(shè)備與原材料,進(jìn)行初步的安裝與調(diào)試。“實(shí)驗(yàn)設(shè)備一旦安裝完成后,我就可以圍繞這些材料繼續(xù)做研究。我一直保持著這方面的關(guān)注,經(jīng)常與做理論研究的學(xué)者交流討論,看是否有新的材料出現(xiàn)。”
行走在材料科學(xué)前沿
半個(gè)多世紀(jì)以來(lái),傳統(tǒng)半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展極大地改善和影響了人類生活的方方面面,并成為第三次科技革命的最典型代表之一。隨著器件尺寸的不斷縮小和集成度的不斷提高,傳統(tǒng)半導(dǎo)體工業(yè)早已面臨著高功耗、低效率、量子尺寸限制等種種問(wèn)題。人們迫切需要全新的理念來(lái)對(duì)傳統(tǒng)半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)行革新。
“自從石墨烯研制出來(lái),很多二維材料也出來(lái)了。人們發(fā)現(xiàn)當(dāng)物質(zhì)從三維降低到二維或者更低的維度時(shí),其電子結(jié)構(gòu)等物理特性會(huì)發(fā)生極大的變化并產(chǎn)生許多非常有趣的物理現(xiàn)象。它有著許多應(yīng)用前景,在研究方面也延展出一個(gè)新的方向,即通過(guò)研究新材料的物理性質(zhì),看看有沒有可能在電子學(xué)或者其他可以想象的器件上有應(yīng)用前景,而以前只是將各種材料組成單晶,或者探索不同的新材料。這是一個(gè)非常基礎(chǔ)和前沿的課題。”
研究新型量子材料在量子限制效應(yīng)下的新奇物理現(xiàn)象,探索和控制多種量子材料與低維材料組合后的新結(jié)構(gòu)、新物態(tài)與新功能是張翼的主要研究興趣。他主要運(yùn)用分子束外延技術(shù)和角分辨光電子譜技術(shù),再結(jié)合其他技術(shù)和測(cè)量手段。
“分子束外延技術(shù)的歷史比較悠久,它的一個(gè)重要特點(diǎn)是在超高真空環(huán)境下進(jìn)行,相對(duì)于其他材料生長(zhǎng)技術(shù)來(lái)說(shuō),得到樣品的純凈度和質(zhì)量是最高的。而角分辨光電子譜技術(shù)的最基本原理就是愛因斯坦的光電效應(yīng),光打到物質(zhì)上,就會(huì)激發(fā)出電子。打出電子的數(shù)量、飛行角度和速度包含了它的強(qiáng)度、動(dòng)量及能量等豐富的信息。因?yàn)槿肷涔庾拥哪芰亢推駹顟B(tài)都是可以確定的,電子出來(lái)的狀態(tài)也可以通過(guò)能量分析器來(lái)確定,通過(guò)量子力學(xué)復(fù)雜的公式計(jì)算后就可以反推出電子在材料內(nèi)部的具體狀態(tài),以及電子在材料內(nèi)部與其他粒子的相互作用等信息,這就是所謂的材料電子結(jié)構(gòu)。”
博士后期間,張翼在美國(guó)勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室先進(jìn)光源的角分辨光電子譜線站上獨(dú)立設(shè)計(jì)并搭建了一套原位的分子束外延生長(zhǎng)系統(tǒng),利用該系統(tǒng),他首次成功制備了大面積高質(zhì)量二維過(guò)渡金屬硫化物MoSe2單晶薄膜,薄膜的高質(zhì)量確保了他能夠通過(guò)原位的角分辨光電子譜得到非常清晰和明確的電子結(jié)構(gòu),并給出了能帶結(jié)構(gòu)、帶隙類型隨著層厚變化而演化的直接實(shí)驗(yàn)證據(jù)。高質(zhì)量單層MoSe2的制備為將來(lái)進(jìn)一步的光學(xué)特性研究、輸運(yùn)性質(zhì)研究和器件制備提供了材料基礎(chǔ)。該成果以第一作者發(fā)表在2014年的Nature Nanotechnology上。
此外,通過(guò)分子束外延技術(shù),張翼首次實(shí)現(xiàn)了拓?fù)浒虢饘貼a3Bi單晶薄膜的生長(zhǎng)。該薄膜的成功制備為將來(lái)通過(guò)原位覆蓋惰性保護(hù)層,從而實(shí)現(xiàn)樣品在大氣環(huán)境中進(jìn)行轉(zhuǎn)移和測(cè)量提供了可能和實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ),同時(shí)也為相應(yīng)的薄膜器件制備提供了材料基礎(chǔ)。該成果以第一作者發(fā)表在2014年的Applied Physics Letters上。
在創(chuàng)新路上永不停步
開展新材料的低維可控生長(zhǎng)并結(jié)合原位物性測(cè)量研究,不僅需要對(duì)分子束外延、角分辨光電子譜、掃描探針顯微鏡等大型聯(lián)合儀器設(shè)備進(jìn)行設(shè)計(jì)和搭建,還要具備相關(guān)大型儀器高水平使用、維護(hù)的經(jīng)驗(yàn)和能力。
張翼總結(jié)道:“從事科研,我覺得最重要的是不斷學(xué)習(xí)的能力,不斷地接受新事物。從事我們這行研究,學(xué)的東西很多很雜,所以有需要就得學(xué),這是最基本的技能。”
除了在技能上不斷學(xué)習(xí),張翼認(rèn)為,一個(gè)合格的科研工作者必須要有足夠的好奇心。“各個(gè)方面的知識(shí)都要弄明白,強(qiáng)烈的求知欲才能夠支持你一直做下去。”這也是他對(duì)團(tuán)隊(duì)成員的要求之一,“人類最前沿的探索走到了哪一步?我還能往前走多遠(yuǎn)?如果沒有這樣的想法,進(jìn)入研究組很難做出很大的貢獻(xiàn)。”
雖然回國(guó)不久,張翼早已對(duì)未來(lái)做好了規(guī)劃。他告訴記者,開發(fā)新材料、新結(jié)構(gòu),研究和理解材料的物性并對(duì)其進(jìn)行精細(xì)控制,制備基于新穎物理原理的電子、光電子、自旋電子及新能源器件,是我國(guó)突破高技術(shù)瓶頸、趕超發(fā)達(dá)國(guó)家的關(guān)鍵。
“我的研究思路是通過(guò)發(fā)展一套具有國(guó)際頂尖水平的分子束外延技術(shù),來(lái)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的具有特殊結(jié)構(gòu)的量子材料、低維和納米材料的精細(xì)可控生長(zhǎng);然后利用高水平的角分辨光電子譜、掃描探針顯微鏡、電輸運(yùn)測(cè)量等一系列先進(jìn)的原位測(cè)量手段,來(lái)對(duì)樣品的生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)、電子和自旋結(jié)構(gòu)等一些物理特性進(jìn)行探測(cè)和研究。通過(guò)對(duì)新材料的生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)、物理現(xiàn)象和機(jī)制的理解和掌握,反過(guò)來(lái)進(jìn)一步改進(jìn)和發(fā)展相關(guān)新材料的生長(zhǎng)制備技術(shù)。進(jìn)而期望實(shí)現(xiàn)一系列科學(xué)上的重大發(fā)現(xiàn)和技術(shù)上的重大突破,開發(fā)出一系列全新的量子材料,并為國(guó)家打破國(guó)外在半導(dǎo)體工業(yè)的壟斷地位、在相關(guān)高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的突破奠定堅(jiān)實(shí)的物理基礎(chǔ)。”
新型材料未來(lái)的發(fā)展方向如何?張翼也無(wú)法給出答案,他說(shuō):“半導(dǎo)體出現(xiàn)以前,誰(shuí)也想不到半導(dǎo)體會(huì)有這么大的發(fā)展。哪一個(gè)未來(lái)可能成為革命性的材料,誰(shuí)也不能確定。這是一個(gè)充滿未知的科學(xué)領(lǐng)域,你完全不知道會(huì)發(fā)現(xiàn)什么,只能根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果來(lái)看,重要的實(shí)驗(yàn)往往都是意料之外的發(fā)現(xiàn)。”憑借著深厚的實(shí)驗(yàn)功底與實(shí)驗(yàn)技能,獨(dú)到的觀點(diǎn)和想法,張翼在未來(lái)將創(chuàng)造無(wú)限可能。
來(lái)源:科學(xué)中國(guó)人 2016年第7期