專家信息：

冉廣照，男，1968年2月出生。現任北京大學物理學院教授，博士生導師。

教育及工作經歷：

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社會任職：

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教學情況：

主講課程：

“半導體激光物理學”、“近代物理實驗”。

培養研究生情況：

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科學研究：

研究方向：

主要從事半導體發光材料的研究工作。

承擔科研項目情況：

1． 國家自然科學基金項目：納米硅在Er離子1.54微米電致發光中的作用機理，2006。

2． 國家自然科學基金項目：在硅襯底上用單根II－VI族化合物半導體納米線組裝發光器件，2003。

3． 國家自然科學基金項目：納米硅顆粒:超亮的新型生物標記物，2002。

4． 國家自然科學基金項目：表面等離子激元增強的納米硅場效應發光器件，2008。

科研成果：

1． 納米硅、氧化硅材料體系發光及其物理機制，2005年獲北京市科學技術獎一等獎。

2． 氧化硅納米硅體系的發光及物理機制，2007年獲國家自然科學二等獎。

發明專利：

1． 一種透光電極及其制備方法 冉廣照; 趙偉強; 秦國剛; 徐萬勁 【中國專利】北京大學 2007-10-24

2． 陽極氧化法制備納米硅顆粒的方法及設備 冉廣照; 張伯蕊; 喬永平; 戴倫; 呂瑩; 陳曉升; 秦國剛 【中國專利】北京大學 2005-04-06

3． 一種有機電致發光器件及其制備方法 秦國剛; 陳娓兮; 冉廣照; 喬永平; 馬國立; 徐愛國; 吳世康; 張伯蕊; 戴倫 【中國專利】北京大學 2005-07-20

4． 一種頂出光電極及其制備方法 秦國剛; 冉廣照; 喬永平; 張伯蕊; 徐愛國; 馬國立; 陳娓兮 【中國專利】北京大學 2005-12-28

5． 一種頂出光電極及其制備方法 秦國剛; 馬國立; 徐愛國; 喬永平; 冉廣照; 張伯蕊; 陳娓兮 【中國專利】北京大學 2006-03-01

6． 一種頂出光電極及其制備方法 秦國剛; 馬國立; 冉廣照; 徐愛國; 喬永平 【中國專利】北京大學 2006-12-20

7． 頂出光電極及其制備方法 冉廣照; 馬國立; 秦國剛; 喬永平; 徐愛國 【中國專利】北京大學 2006-12-20

8． 一種有機電致發光器件及其制備方法 秦國剛; 李延釗; 冉廣照; 喬永平 【中國專利】北京大學 2010-06-09

9． 金屬鍵合硅基激光器的制備方法 秦國剛; 洪濤; 陳挺; 冉廣照; 陳娓兮 【中國專利】北京大學 2010-06-16

10． 一種硅基有機電致發光器件及其制備方法 秦國剛; 李延釗; 冉廣照; 徐萬勁 【中國專利】北京大學 2010-09-22

11． 一種硅基有機電致發光器件及其制備方法 秦國剛; 李延釗; 陳挺; 徐萬勁; 冉廣照 【中國專利】北京大學 2010-11-24

12． 有機或無機電致發光器件、器件陽極及制備方法 徐萬勁; 秦國剛; 李延釗; 冉廣照 【中國專利】北京大學 2011-10-19

13． 一種選區聚合物鍵合硅基混合激光器及其制備方法 秦國剛; 洪濤; 李艷平; 冉廣照; 陳娓兮 【中國專利】北京大學 2011-11-16

論文專著：

發表學術論文10余篇。

出版專著：

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發表英文論文：

1． Zhao WQ, Ran GZ, Xu WJ, et al.Passivated p-type silicon: Hole injection tunable anode material for organic light emission, APPLIED PHYSICS LETTERS 92, 073303 Published: FEB 18 2008

2． Ran GZ, Wu ZL, Ma GL, et al. Improvement of the charge imbalance caused by the use of a p-type silicon anode in an organic light-emitting diode CHEMICAL PHYSICS LETTERS 400, 401-405 DEC 21 2004

3． Ran GZ, Chen Y, Qin WC, et al.Room-temperature 1.54 um electroluminescence from Er-doped silicon-rich silicon oxide films deposited on n(+)-Si substrates by magnetron sputtering JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 90, 5835 DEC 1 2001

發表中文論文：

1 晶態Si₃N₄/非晶SiO₂同軸納米線的電子顯微學研究 尤力平; 冉廣照 北京大學物理學院電子顯微鏡實驗室; 北京大學物理學院國家介觀物理實驗室 【中國會議】2005年全國電子顯微學會議論文集 2005-06-30

2 體硅陽極和薄膜微晶硅陽極聚合物頂發光白光器件 谷永濤; 魏峰; 孫拓; 徐萬勁; 冉廣照; 章勇; 牛巧利; 秦國剛 北京大學物理學院介觀物理國家重點實驗室; 華南師范大學光電子材料與技術研究所 【期刊】北京大學學報(自然科學版) 2011-10-24 13:46

3 Ag納米顆粒對富Ag二氧化硅薄膜電致發光譜的影響 冉廣照; 文杰; 尤力平; 徐萬勁 人工微結構和介觀物理國家重點實驗室北京大學物理學院 【期刊】光譜學與光譜分析 2011-09-15

4 硅基摻錳富硅氧化硅薄膜的電致發光 文杰; 陳挺; 冉廣照 北京大學物理學院人工微結構與介觀物理國家重點實驗室 【期刊】光譜學與光譜分析 2009-07-15

5 Ni增強Er在富硅氮化硅薄膜中的光致發光 孫凱; 徐萬勁; 冉廣照 北京大學物理學院介觀物理國家重點實驗室 【期刊】北京大學學報(自然科學版) 2010-01-20

6 晶態Si₃N₄/非晶SiO₂同軸納米線的電子顯微學研究 尤力平; 冉廣照 北京大學物理學院電子顯微鏡實驗室; 北京大學物理學院國家介觀物理實驗室 北京 【期刊】電子顯微學報 2005-08-25

7 在C_(70)固體p-GaAs結構中的甚深深能級 冉廣照; 陳源; 陳開茅; 張曉嵐; 劉鴻飛 北京大學物理學院; 北京大學物理學院; 福州大學電子科學與應用物理系; 北京有色金屬研究院 北京 【期刊】物理學報 2004-10-12

8 室溫下摻Er富硅氧化硅和摻Er富硅氮化硅的光致發光及其退火 袁放成; 冉廣照; 陳源; 張伯蕊; 喬永平; 付濟時; 秦國剛; 馬振昌; 宗婉華 泉州師范學院物理系; 北京大學物理系; 北京大學物理系; 信息產業部電子第十三研究所 【期刊】光譜學與光譜分析 2001-12-25

9 磁控濺射淀積摻Er富Si氧化硅膜中Er~(3+) 1.54μm光致發光 袁放成; 冉廣照; 陳源; 張伯蕊; 喬永平; 傅濟時; 秦國剛; 馬振昌; 宗婉華 北京大學物理系; 北京大學物理系; 信息產業部電子第十三研究所; 信息產業部電子第十三研究所 北京; 泉州師院物理系 【期刊】物理學報 2001-12-12

10 SiO₂:Er和Si_xO₂:Er薄膜室溫Er~(3+)1.54μm波長的電致發光 袁放成; 冉廣照; 陳源; 戴倫; 喬永平; 張伯蕊; 秦國剛; 馬振昌; 宗婉華 泉州師范學院物理系功能材料研究所; 北京大學物理學院; 北京大學物理學院; 河北半導體研究所; ASIC國家重點實驗室 【期刊】固體電子學研究與進展 2002-12-30

11 納米硅對摻鉺氧化硅電致發光的增強作用 陳源; 冉廣照; 戴 倫; 袁放成; 秦國剛; 馬振昌; 宗婉華; 吳正龍 北京大學物理系; 北京大學物理系; 河北半導體研究所砷化鎵集成電路國家實驗室; 北京師范大學測試中心 北京 【期刊】紅外與毫米波學報 2002-12-30

榮譽獎勵：

1． 2005年獲北京市科學技術一等獎。

2． 2007年獲國家自然科學二等獎。

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