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北京第三代半導體材料及應用聯合創新基地建設取得重要階段性進展

 日期:2015年06月08日      北京市科委

 

    5月25日,北京市科委、順義區政府、國家半導體照明聯盟聯合舉行北京第三代半導體材料及應用聯合創新基地共建工作會。
會上,舉行了荷蘭代爾夫特理工大學與順義區政府簽署戰略合作框架協議,同時舉行了第三代半導體聯合創新創業孵化中心揭牌儀式。科技部副部長曹健林、北京市科委副主任朱世龍、順義區區長盧映川、荷蘭駐華大使賈高博、北京科技協作中心主任季小兵、北京市科委委員王建新等領導出席會議。國家半導體照明聯盟秘書長、科技部第三代半導體重點專項總體組專家吳玲研究員,科技部“半導體照明重點專項”總體組專家李晉閩研究員、沈波教授等及首都創新大聯盟各成員聯盟、第三代半導體領域企業代表100人參加會議,此次會議的召開標志著北京第三代半導體材料及應用聯合創新基地的建設又邁上了新臺階。
代爾夫特理工大學與順義區政府戰略合作框架協議的簽訂,標志著第三代半導體材料及應用聯合創新基地引進國際優勢創新資源、匯聚全球創新創業人才取得新進展,將充分發揮北京突出的科技資源優勢和獨特的國際交往優勢,從全國科技創新中心建設的高度對聯合創新基地的發展進行科學規劃和布局,打造立足北京、輻射全國、引領產業發展的國際化第三代半導體開放式創新環境。
第三代半導體聯合創新創業孵化中心集成了開放式的公共研發平臺以及中試技術平臺,并吸收了首都創新大聯盟廣大成員企業參加,有利于通過創客
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